編號：NMJS04275
篇名：摻雜香豆素6的雜化納米顆粒的制備及熒光性能研究(英文)
作者：香豆素6； 熒光,； 雜化納米顆粒,； 濃度猝滅；
關鍵詞：香豆素6,； 熒光,； 雜化納米顆粒； 濃度猝滅,；香豆素6,； 熒光； 雜化納米顆粒,； 濃度猝滅,；
機構： 北京交通大學光電子技術研究所 教育部發(fā)光與光學信息重點實驗室；
摘要： 采用一種再沉淀-封裝法制備了摻雜香豆素6(C6)的雜化熒光納米顆粒,并通過SEM和DLS對其進行了形貌和粒徑大小表征,。在450 nm光激發(fā)下,制備的C6摻雜納米顆粒表現出綠色熒光。通過比較光致發(fā)光光譜隨摻雜濃度的變化,得出C6摻雜納米顆粒的濃度猝滅是因為分子間能量轉移而非C6分子聚集所致,。另外,由于所選聚合物基質材料PS和PMMA分子結構的區(qū)別,導致PS-基質和PMMA-基質的納米顆粒的光譜形狀不同,。C 6分子在PS-基質的納米顆粒中處于兩種不同的微環(huán)境,所以發(fā)射峰較寬;PMMA是線性分子,PMMA-基質的納米顆粒中只存在一種局域環(huán)境,所以發(fā)射峰較窄。高的摻雜濃度會超過納米顆粒對C6分子的負載能力,從而導致C6分子在水溶液中聚集,。
