編號：NMJS04244
篇名：碳納米管導電增強聚乙撐二氧噻吩復合材料的研究
作者：張輝,； 孫偉,； 楊鵬；
關鍵詞：聚乙撐二氧噻吩； 多壁碳納米管,； 納米復合材料
機構： 沈陽化工大學材料科學與工程學院,；
摘要： 采用原位聚合法以三氯化鐵作為摻雜劑,過硫酸銨為氧化劑和引發(fā)劑制備碳納米管/聚乙撐二氧噻吩復合材料.通過掃描電鏡(SEM),、透射電鏡(TEM),、紅外光譜(IR)對樣品形貌及結構進行表征,采用循環(huán)伏安測試法(CV)研究碳納米管/聚乙撐二氧噻吩納米復合材料的電化學行為.結果表明:聚乙撐二氧噻吩納米顆粒均勻包覆于多壁碳納米管的表面,形成核殼結構;隨碳納米管含量的增加,復合材料的電化學性能隨之改善,當碳納米管質量分數(shù)為28.6%時,碳納米管/聚乙撐二氧噻吩納米復合材料的比電容達到179.8 F/g,且電化學活性最好.
