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納米壓印多孔硅模板的研究

編號:NMJS04239

篇名:納米壓印多孔硅模板的研究

作者:張錚,; 徐智謀,; 孫堂友; 徐海峰,; 陳存華,; 彭靜;

關(guān)鍵詞:納米壓�,�,; 陽極氧化鋁; 多孔硅,; 拉曼光譜,;

機構(gòu): 華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院,; 中師范大學(xué)化學(xué)學(xué)院; 武漢科技大學(xué)理學(xué)院,;

摘要: 納米壓印模板通常采用極紫外光刻,、聚焦離子束光刻和電子束光刻等傳統(tǒng)光刻技術(shù)制備,成本較高.尋找一種簡單、低成本的納米壓印模板制備方法以提升納米壓印光刻技術(shù)的應(yīng)用成為研究的重點與難點.本文以多孔氧化鋁為母模板,采用納米壓印光刻技術(shù)對納米多孔硅模板的制備進行了研究.在硅基表面成功制備出納米多孔陣列結(jié)構(gòu),孔間距為350—560nm,孔徑在170—480nm,孔深為200nm.在激發(fā)波長為514nm時,拉曼光譜的測試結(jié)果表明,相對于單面拋光的硅片,納米多孔結(jié)構(gòu)的硅模板拉曼光強有了約12倍左右的提升,對提升硅基光電器件的應(yīng)用具有重要的意義.最后,利用多孔硅模板作為納米壓印母模板,通過熱壓印技術(shù),成功制備出了聚合物納米柱軟模板.

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