編號：NMJS04234
篇名：硅納米線的化學(xué)氣相沉積法合成
作者：王永成； 唐靜,； 鄭耿鋒,；
關(guān)鍵詞：硅納米線； 化學(xué)氣相沉積法,； 單一結(jié)構(gòu),； 復(fù)合結(jié)構(gòu)； 摻雜,；
機(jī)構(gòu)： 復(fù)旦大學(xué)化學(xué)系先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室,；
摘要： 硅納米線是近十幾年來在納米科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域快速發(fā)展的一種重要材料.通過精細(xì)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料合成,硅納米線在生物傳感、鋰離子電池,、太陽能電池和光電化學(xué)等領(lǐng)域展示出良好的應(yīng)用前景.化學(xué)氣相沉積(CVD)法是一大類重要的自下而上合成硅納米線方法.本文簡介了CVD法合成硅納米線的主要進(jìn)展,包括具有單一結(jié)構(gòu)和復(fù)合結(jié)構(gòu)的硅納米線的合成.其中,單一結(jié)構(gòu)的硅納米包括本征(無摻雜),、摻雜和超長的硅納米線;復(fù)合結(jié)構(gòu)的硅納米線包括軸向異質(zhì)結(jié)、徑向異質(zhì)結(jié),、轉(zhuǎn)折結(jié)構(gòu)和樹枝狀結(jié)構(gòu)的硅納米線.
