編號(hào)：CPJS01872
篇名：氧化鋁復(fù)合磨粒對(duì)硬盤NiP/Al基板CMP的研究
作者：麻鵬飛,； 張萍,； 蔣春東,； 吳疆
關(guān)鍵詞： Al2O3拋光液,； NiP/Al基板； 化學(xué)機(jī)械拋光
機(jī)構(gòu)： 四川大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 在Al2O3表面改性的基礎(chǔ)上,制備了以氧化鋁,、水,、雙氧水,、氫氧化鈉溶液為主要成分的拋光液,研究了計(jì)算機(jī)NiP/Al硬盤盤基片的化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing,簡(jiǎn)稱CMP)特性.通過螺旋測(cè)微儀測(cè)量了NiP/Al硬盤盤基片表面在不同拋光壓力、拋光盤轉(zhuǎn)速,、時(shí)間,、pH值下的材料去除率,利用原子力顯微鏡AFM表征了拋光后的硬盤盤基片表面粗糙度及形貌,并分析研究了Al2O3拋光液的CMP機(jī)理.最終得到最佳拋光工藝參數(shù):拋光盤速率為30r/min、拋光壓力2.1kPa,、拋光時(shí)間為60min,、拋光液pH值為9,此時(shí)表面粗糙度Ra為4.67nm.
