編號：NMJS04196
篇名：氧化石墨烯/聚苯胺納米線復合材料的制備及電化學電容性能研究
作者：陳玉華,； 戴亞堂,； 王偉,； 張歡,； 申振,； 馬麗,；
關鍵詞：氧化石墨烯； 氧化石墨烯/聚苯胺,； 納米線陣列,； 比電容； 超級電容器,；
機構： 西南科技大學材料科學與工程學院,；
摘要： 采用化學法在氧化石墨烯(GO)表面垂直生長出聚苯胺(PANI)納米線陣列。利用SEM,、FT-IR,、Raman對所制備的GO/PANI復合材料的形貌及結構進行表征。該復合材料的電化學電容性能通過循環(huán)伏安(CV),、交流阻抗(EIS)和恒流充放電進行表征,。研究結果表明:在0.2A/g的電流密度下,GO/PANI電極首次充放電比電容可高達469F/g,高于純PANI電極的452F/g,復合材料的電荷傳遞電阻為1Ω·cm2。同時,GO/PANI的循環(huán)穩(wěn)定性及倍率特性得到極大的增強,。
