編號(hào)：NMJS04099
篇名：CdTe量子點(diǎn)敏化TiO_2納米棒光電極的制備及分析
作者：鄭丹,； 趙鑫,；
關(guān)鍵詞：TiO2納米棒； 量子點(diǎn)； 電化學(xué)沉積法,； 沉積電量； 光電極； 核殼結(jié)構(gòu)； 飽和光電流密度,；
機(jī)構(gòu)： 武漢軟件工程職業(yè)學(xué)院光電子與通訊工程系； 湖北大學(xué)物電學(xué)院,；
摘要： 利用電化學(xué)沉積法在TiO2納米棒陣列上沉積了CdTe量子點(diǎn),通過(guò)調(diào)節(jié)沉積時(shí)的電量使整個(gè)TiO2納米棒上覆蓋了致密均勻的CdTe量子點(diǎn),CdTe和TiO2形成了核殼結(jié)構(gòu),。研究了沉積電量對(duì)FTO/TiO2/CdTe光電極的結(jié)構(gòu)及光電性能的影響,發(fā)現(xiàn)隨著沉積電量的增大,FTO/TiO2/CdTe光電極的吸收邊發(fā)生紅移。當(dāng)沉積電量為0.9C時(shí),在光強(qiáng)為0.1 W/cm2,、AM 1.5 G標(biāo)準(zhǔn)模擬太陽(yáng)光照射下,所制光電極產(chǎn)生最大的飽和光電流密度3.23×10–3A/cm2,。
