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更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上的電化學(xué)行為

編號:NMJS04061

篇名:更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上的電化學(xué)行為

作者:常竹,; 馬嘯華

關(guān)鍵詞:單壁碳納米管,; 更昔洛韋; 修飾電極,; 伏安測定

機構(gòu): 商丘師范學(xué)院化學(xué)化工學(xué)院

摘要: 運用循環(huán)伏安法研究了更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上的電化學(xué)行為,提出了一種簡便,、準確,、靈敏的檢測藥物更昔洛韋的電化學(xué)分析方法.在pH 4.0的0.04 M B-R(磷酸+冰醋酸+硼酸)緩沖溶液中,更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上于1.08 V電位處有一峰形很好的氧化峰.與裸玻碳電極相比,更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上的電位負移了近30 mV,峰電流增加了近15倍,表明該修飾電極對更昔洛韋有較強的電催化作用.在最佳的試驗條件下,氧化峰電流與更昔洛韋在3.5×10-7~1.2×10-5M濃度范圍內(nèi)呈良好線性關(guān)系,檢出限為1.8×10-8M.該方法可用于藥劑中更昔洛韋的分析.

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