編號：NMJS03942
篇名：納米孔金膜電極的制備及應用
作者：朱曉婷； 張璐佳； 陶紅,； 狄俊偉；
關(guān)鍵詞：納米孔金,； 電化學沉積； L-半胱胺酸,； Cu2+,；
機構(gòu)： 蘇州大學材料與化學化工學部； 蘇州市健康化學與分子診斷重點實驗室,；
摘要： 在氨性溶液中,以HAuCl4和AgNO3為原料,采用電化學還原法直接在氧化銦錫(ITO)導電玻璃基底上沉積金銀合金膜,然后用HClO4溶液去合金化,較活潑的金屬銀溶解,從而制備了高表面積的納米孔金膜修飾電極,并對修飾電極進行了表征,。納米孔金膜的表面積可通過調(diào)控電解的條件來控制,所制備的納米孔金膜電極可采用L-半胱胺酸自組裝法進一步功能化,并應用于高靈敏和高選擇性測定Cu2+。在優(yōu)化實驗條件下,Cu2+的吸附時間為5min,采用線性掃描伏安法測定Cu2+濃度的線性范圍為0.05～4.0μmol/L,檢出限為0.03μmol/L,對1μmol/LCu2+平行測定9次,其相對標準偏差為4.3%,。本方法用于環(huán)境水樣中Cu2+的測定,結(jié)果令人滿意,。
