編號(hào)：NMJS03935
篇名：超薄AAO模板法輔助生長(zhǎng)高密度有序金納米點(diǎn)陣列
作者：楊 震1,； 2,； 張 璋1； 黃康榮1,； 周青偉1,； 劉利偉1,；
關(guān)鍵詞： 金納米點(diǎn)陣列； AAO模板,； 熱蒸鍍,； 二步氧化法；
機(jī)構(gòu)： (1.華南師范大學(xué)華南先進(jìn)光電子研究院,先進(jìn)材料研究所,廣東廣州 510006,； 2.華南師范大學(xué)物理與電信工程學(xué)院,廣東廣州 510006),；
摘要： 在高真空狀態(tài)下采用孔徑為40nm的超薄陽(yáng)極氧化鋁(AAO)模板作為掩膜進(jìn)行金的熱蒸鍍,制備了平均粒徑為35.5nm、填充密度為1.45×1010cm-2的金納米點(diǎn)陣列.探索了高密度有序納米點(diǎn)陣列的制備工藝.通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)對(duì)金納米點(diǎn)陣列進(jìn)行表面形貌表征,證明超薄 AAO模板法明顯改善了金納米點(diǎn)陣列分布的尺寸均勻度和有序度.
