編號：FTJS03758
篇名：不同碳源對Al_2O_3-Si-C材料基質(zhì)中原位合成SiC晶體形貌的影響
作者：梁峰,； 李楠,； 劉百寬； 賀中央,；
關鍵詞：Al2O3-Si-C,； 超細鱗片石墨,； 納米炭黑； 碳納米管,； SiC晶須,；
機構： 武漢科技大學耐火材料與高溫陶瓷國家重點實驗室培育基地； 濮陽濮耐高溫材料(集團)股份有限公司,；
摘要： 為了研究微米或納米結構的碳材料對Al2O3-Si-C材料基質(zhì)中生成SiC晶體結構和形貌的影響,采用板狀剛玉細粉和單質(zhì)Si粉為原料,分別以碳納米管,、納米炭黑和超細鱗片石墨為碳源,制備了添加三種不同碳源的Al2O3-Si-C基質(zhì)試樣,在埋炭氣氛下于1 000、1 200和1 400℃分別保溫3 h熱處理,用XRD分析處理后試樣的相組成,通過FESEM觀察試樣基質(zhì)中的SiC晶體形貌,。結果表明:1)較高的熱處理溫度可以促進SiC的反應生成,SiC的生成量隨熱處理溫度的升高而增加,。2)不同碳源在試樣中原位形成SiC的形貌和反應機制各不相同:碳納米管通過模板反應被逐漸轉化為SiC晶須;Si與納米炭黑之間快速反應形核,成核后的SiC晶體向各個方向均勻生長并形成SiC顆粒;超細石墨片晶從邊緣向內(nèi)部逐漸反應生成SiC晶須。
