編號(hào)：NMJS03865
篇名：B/N摻雜對(duì)于石墨烯納米片電子輸運(yùn)的影響
作者：鄧小清,； 楊昌虎,； 張華林,；
關(guān)鍵詞：石墨烯納米片,； 電子輸運(yùn),； 整流行為,； 非平衡格林函數(shù)方法,；
機(jī)構(gòu)： 長(zhǎng)沙理工大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院,；
摘要： 選用鋸齒(zigzag)型石墨烯納米片為研究對(duì)象,Au作為電極,分子平面與Au的(111)面垂直,并通過(guò)末端S原子化學(xué)吸附于金屬表面,構(gòu)成兩種分子器件:一種是在納米片的邊緣摻雜N(B)原子,發(fā)現(xiàn)電流-電壓具有非線性行為,但是整流系數(shù)較小,特別是摻雜較多時(shí),整流具有不穩(wěn)定性;另一種是用烷鏈把兩個(gè)石墨烯片連接,在烷鏈附近和石墨烯片的邊緣進(jìn)行N(B)摻雜,發(fā)現(xiàn)在烷鏈附近摻雜具有較大的整流,但是摻雜的原子個(gè)數(shù)和位置會(huì)影響整流性能.研究表明:整流主要為正負(fù)電壓下分子能級(jí)的移動(dòng)方向和空間軌道分布不同導(dǎo)致.部分體系中的負(fù)微分電阻現(xiàn)象主要由于偏壓導(dǎo)致能級(jí)移動(dòng)和透射峰形態(tài)的改變,并且在某些偏壓下主要透射通道被抑制而引起。
