編號：NMJS03861
篇名：聚酰亞胺/TiO_2納米雜化薄膜耐電暈性能的研究
作者：馮宇,； 殷景華,； 陳明華； 劉曉旭,； 雷清泉,；
關鍵詞：納米二氧化鈦,； 聚酰亞胺； 耐電暈,； 組分,； 雜化；
機構： 工程電介質(zhì)及其應用教育部重點實驗室(哈爾濱理工大學),；
摘要： 通過原位聚合法制備聚酰亞胺/二氧化鈦(PI/TiO2)納米雜化薄膜并研究其耐電暈性能,。利用光激發(fā)放電方法(photon-stimulated discharge,PSD)與光度計測試雜化薄膜的陷阱狀態(tài)與紫外吸收光譜,通過掃描電鏡與小角X射線散射技術(small angle X-ray scattering,SAXS)表征薄膜表面的形貌與分形特征。實驗結果表明:引入TiO2增加了薄膜中的陷阱密度,提高了薄膜的質(zhì)量分形維數(shù),在5%組分時出現(xiàn)表面分形,薄膜結構變得致密;隨著TiO2組分的增加,薄膜的耐電暈壽命由3.9 h(0%)增加到49 h(7%),薄膜的紫外吸收能力提高;隨著電暈時間增加,雜化薄膜表面的聚酰亞胺分解,TiO2顆粒逐漸積累,起到屏蔽電暈侵蝕的作用,。因此,有機-無機界面的陷阱狀態(tài),、TiO2的特性以及薄膜整體分形結構的協(xié)同效應提高了雜化薄膜耐電暈性能。
