編號(hào)：NMJS03837
篇名：Cu箔襯底上石墨烯納米結(jié)構(gòu)制備
作者：葛雯； 呂斌,；
關(guān)鍵詞：石墨烯,； CVD； 石墨烯形貌,；
機(jī)構(gòu)： 浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)系硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,；
摘要： 采用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)在Cu箔上制備出了單層石墨烯納米結(jié)構(gòu),用掃描電子顯微鏡(SEM),、原子力顯微鏡(AFM)和拉曼光譜等對(duì)其結(jié)構(gòu)和形貌等進(jìn)行了表征。在此基礎(chǔ)上,通過調(diào)節(jié)生長(zhǎng)參數(shù),制備多種形貌的石墨烯結(jié)構(gòu),著重探索了在生長(zhǎng)溫度為1000℃,、生長(zhǎng)時(shí)間為2min時(shí),CH4∶H2,、生長(zhǎng)壓強(qiáng)和襯底晶體取向?qū)κ┏跏夹蚊驳挠绊懸?guī)律,石墨烯的形貌主要取決于C的擴(kuò)散/沉積和H2對(duì)石墨烯的刻蝕,當(dāng)氫氣的刻蝕作用占主導(dǎo)地位時(shí),石墨烯為規(guī)則的六邊形,當(dāng)C的擴(kuò)散/沉積占主導(dǎo)作用時(shí),C沿著特定的方向擴(kuò)散快,形成花狀形貌;而背電子散射衍射(EBSD)研究表明,襯底Cu箔的取向?qū)κ┬蚊驳挠绊懖幻黠@,沒有觀察到襯底取向與石墨烯結(jié)構(gòu)之間的直接聯(lián)系。
