編號(hào)：NMJS03832
篇名：電場(chǎng)中不同能量密度激光燒蝕制備納米硅晶粒分布特性
作者：鄧澤超,； 胡自強(qiáng),； 張曉龍； 褚立志,； 丁學(xué)成,； 梁偉華,； 王英龍,；
關(guān)鍵詞：脈沖激光燒蝕,； 電場(chǎng)； 朗繆爾探針,； 成核區(qū),；
機(jī)構(gòu)： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,河北省光電信息材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 在室溫和10 Pa氬氣環(huán)境中,引入平行于靶面方向的直流電場(chǎng),通過(guò)改變脈沖激光能量密度燒蝕單晶硅靶,在與羽輝軸線呈不同角度的襯底上沉積納米硅晶薄膜,。利用掃描電子顯微鏡和拉曼散射譜對(duì)沉積樣品進(jìn)行分析,結(jié)果表明:隨著激光能量密度的增加,位于相同角度襯底上的晶粒尺寸和面密度逐漸變大;在同一激光能量密度下,零度角處襯底上的晶粒尺寸和面密度最大,且靠近接地極板處的值比與之對(duì)稱角度處略大,。通過(guò)朗繆爾探針對(duì)不同能量密度下燒蝕羽輝中硅離子密度變化的診斷、結(jié)合成核區(qū)內(nèi)晶粒成核生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程,對(duì)晶粒分布特性進(jìn)行了分析,。
