編號：NMJS03781
篇名：PbSe/CdS/N-TiO2納米棒陣列光電極:CVD制備全色光電極
作者：張旗
關(guān)鍵詞：PbSe,； CdS,； N-TiO2納米棒陣列； PEC,； near IR響應(yīng)
機(jī)構(gòu)： 吉林師范大學(xué)物理學(xué)院
摘要： 硒化鉛(PbSe)作為一種常用的近紅外(near IR)光響應(yīng)材料,廣泛地應(yīng)用于太陽能應(yīng)用領(lǐng)域.但要將之與其他硫化物光敏劑(如CdS)連用,共同敏化寬禁帶半導(dǎo)體光電極,使其感光范圍從紫外光(UV),到可見光(vis),一直拓展到Near IR頻段,常用的濕化學(xué)制備方法還有困難.據(jù)此,我們提出一種化學(xué)氣相沉積(CVD)制備過程,將CdS和PbSe納米顆粒,順次沉積到滲氮的TiO2(N-TiO2)納米棒陣列上,得到PbSe/CdS/N-TiO2光電極.檢測結(jié)果表明,CVD方法能夠有效地合成出這種雜化的光電極,并表現(xiàn)出增強(qiáng)的光電化學(xué)(photoelectrochemis-try/PEC)性能.Near IR吸收光譜表明,此種光電極的感光范圍已拓展到near IR頻段,為制備全色的復(fù)合光電極打下了基礎(chǔ).
