編號(hào)：NMJS03747
篇名：靜電紡絲制備La3Si8O4N11:Ln(Ln=Ce3+,、Sm3+)納米纖維及其發(fā)光性能研究
作者：丁狄； 王宏志,； 李耀剛,； 張青紅；
關(guān)鍵詞：靜電紡絲,； 熒光,； 氧氮化物
機(jī)構(gòu)： 東華大學(xué)纖維材料改性國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 采用靜電紡絲結(jié)合氨氣高溫氣相還原的方法制備了Ce3+摻雜和Sm3+摻雜的La3Si8O4N11納米纖維和微米帶薄膜。XRD,、FE-SEM、EDX和PL等測試方法對(duì)材料進(jìn)行表征,。樣品在1400℃下保溫9 h后的XRD圖譜與La3Si8O4N11的標(biāo)準(zhǔn)卡片吻合,Sm3+和Ce3+的摻雜沒有改變La3Si8O4N11的晶型,。樣品在宏觀上仍保持薄膜狀態(tài)。在343 nm附近紫外光的激發(fā)下,Ce3+摻雜的La3Si8O4N11納米纖維在450 nm附近呈現(xiàn)出一個(gè)寬發(fā)射峰來自于Ce3+5d-4f電子躍遷的發(fā)射,。Ce3+摻雜的La3Si8O4N11納米纖維的衰減曲線為雙衰減曲線,熒光壽命分別為8.27和32.72 ns,。而Sm3+摻雜的La3Si8O4N11納米纖維在409 nm的近紫外光的激發(fā)下,在575、600,、610和650 nm處存在四個(gè)尖銳的窄峰來自于Sm3+的4f-4f電子躍遷的發(fā)射,。
