編號(hào)：NMJS03698
篇名：CeO2納米線的合成及影響因素的探討
作者：彭歡,； 周新木,； 李靜,； 黃肖鳳,； 周雪珍,； 李永繡
關(guān)鍵詞：氧化鈰,； 納米線,； 合成； 影響因素
機(jī)構(gòu)： 南昌大學(xué)化學(xué)系
摘要： 采用水熱法合成了粒徑為25 nm的CeO2納米線,采用X射線衍射儀(XRD),、掃描電鏡(SEM),、透射電鏡(TEM)對(duì)其進(jìn)行了表征和觀察;同時(shí)考察了沉淀劑種類、沉淀劑濃度,、分散劑種類和反應(yīng)時(shí)間等因素對(duì)納米線的合成的影響,最終得到合成納米線的最佳工藝條件為:以氯化鈰為鈰源,氫氧化鈉為沉淀劑,CTAB為分散劑時(shí)所合成的納米線分散性好,粒徑均一,。討論了納米線的影響因素。
