編號：NMJS03646
篇名：噴霧燃燒原位催化制備SnO_2納米線及其生長機理
作者：孔令艷,； 胡彥杰,； 侯曉宇,； 張玲,； 李春忠,；
關(guān)鍵詞：噴霧燃燒,； 納米線,； 納米顆粒,；
機構(gòu)： 華東理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,； 華東理工大學(xué)超細材料制備與應(yīng)用教育部重點實驗室,；
摘要： 采用噴霧燃燒的方法,以HAuCl4在高溫火焰中原位分解生成的Au納米顆粒為催化劑,以SnCl4.5H2O為錫源,簡單、快速地制備高度結(jié)晶的SnO2納米線;利用X射線衍射,、透射電鏡和選區(qū)電子衍射等對制備的納米線進行表征;研究SnO2納米線的晶格間距和晶體的生長方向,提出高溫火焰快速反應(yīng)過程中Au納米顆粒催化SnO2納米線的生長機理,。結(jié)果表明,制備的SnO2納米線為正方晶系的金紅石型氧化錫單晶結(jié)構(gòu),直徑為15~25 nm,長度在幾百納米到幾微米之間。
