編號：NMJS03642
篇名：硅納米線陣列的制備及光伏性能
作者：蔣玉榮； 秦瑞平； 蔡方敏,； 楊海剛； 馬恒,； 常方高
關(guān)鍵詞：硅納米線陣列,； 無電極金屬催化法； 光譜反射率,； 光伏特性
機構(gòu)： 1. 河南師范大學物理與信息工程學院,，河南 新鄉(xiāng) 453007； 2. 河南省光伏材料重點實驗室,，河南 新鄉(xiāng) 453007,；
摘要： 在常溫常壓下，采用無電極金屬催化化學腐蝕法在 P 型單晶硅片(100)基底上制備定向排列的硅納米線陣列,。研究了不同濃度硝酸銀對納米線陣列形貌,、反射光譜性能的影響和具有電池雛形的硅納米線陣列的光伏性能。結(jié)果表明：硝酸銀濃度在 0.02mol/L 時為最佳配比,；與普通絨面電池相比,，硅納米線陣列太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換性能明顯優(yōu)于普通絨面電池。用光譜響應(yīng)分析手段分析硅納米線電池光伏性能的影響因素,，并提出解決辦法,。
