編號：CPJS01699
篇名：鉭摻雜二氧化鈦薄膜的光電性能研究
作者：薛將,； 潘風明,； 裴煜,；
關(guān)鍵詞：Ta摻雜TiO2,； 脈沖激光沉積法,； 薄膜,； 導電機理,；
機構(gòu)： 南京航空航天大學理學院,；
摘要： 采用脈沖激光沉積法(PLD),以石英玻璃為襯底制備了鉭摻雜TiO2薄膜并研究了薄膜樣品的光電性質(zhì).沉積氧氣分氣壓從0.3Pa變化到0.7Pa時薄膜樣品的帯隙變化范圍是3.26eV到3.49eV.通過測量電阻率隨溫度的變化關(guān)系確定了薄膜內(nèi)部的主要導電機理.在150K到210K溫度范圍內(nèi),熱激發(fā)導電機理是主要的導電機理;而在10K到150K范圍內(nèi);電導率隨溫度的變化復合Mott的多級變程跳躍模型(VRH);在210K到300K范圍內(nèi),電阻率和exp(b/T)1/2呈正比關(guān)系.
