編號：FTJS00302
篇名：SiC(N）納米粉體的吸波性能研究
作者：焦桓 羅發(fā)等
關鍵詞：吸波性能 SiC(N)納米粉體 介電常數(shù) 反射率 吸波機理 碳化硅 氮化硅
機構： 西北工業(yè)大學凝固技術國家重點實驗室,，陜西西安710072
摘要： 采用CVD法合成了SiC(N)納米粉體。在NH3流量為0－480ml/min范圍內(nèi),，合成了氮原子百分含量隨NH3流量逐漸增大的一系列SiC(N)納米粉體,。研究了SiC(N)納米粉體的介電常數(shù)和介電損耗角正切與粉體組成的關系，發(fā)現(xiàn)介電常數(shù)的實部,、瞄部和介電損耗角正切均隨粉體中氮原子摩爾分數(shù)的升高而降低,，依據(jù)粉體的介電常數(shù)設計了雙層吸波涂層，涂層的吸波效果隨粉體氮含量的升高而降低,。N原子取代SiC晶格中C產(chǎn)生的帶電缺陷在電磁場作用下的極化馳豫是SiC(N）納米粉體吸波的主要機理,。
出處：西北工業(yè)大學學報.2002,20(2).-172-175
