編號：NMJS03420
篇名：核殼結(jié)構(gòu) SiC/SiO2納米線的低溫合成與表征
作者：趙春榮,； 楊娟玉； 丁海洋,； 盧世剛,；
關(guān)鍵詞：SiC/SiO2核殼結(jié)構(gòu)納米線； 碳熱還原,； 酚醛樹脂,； 光致發(fā)光；
機構(gòu)： 北京有色金屬研究總院,； 北京 100088,；
摘要： 以酚醛樹脂(PF)作為碳源, 納米 SiO2為硅源, 在 1300 ℃氬氣氣氛下通過碳熱還原反應(yīng), 制備出具有核殼結(jié)構(gòu)的 SiC/SiO2納米線。采用 X 射線分析衍射儀(XRD),、掃描電子顯微鏡(SEM),、透射電子顯微鏡(TEM)、高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM),、拉曼光譜(Raman)對產(chǎn)物的組成,、形貌、微觀結(jié)構(gòu)等進行了表征,。結(jié)果表明; SiC/SiO2納米線長可達數(shù)毫米, 單根 SiC/SiO2納米線由直徑 30 nm 的 β-SiC 晶體為內(nèi)核和厚度約 12 nm 的無定形 SiO2殼層組成; 室溫下 SiC/SiO2納米線的 PL 發(fā)光峰與 β-SiC 單晶的發(fā)光特征峰相比有藍移,。最后, 討論了核殼結(jié)構(gòu) SiC/SiO2納米線的生成機制。
