編號(hào)：NMJS03369
篇名：銅納米線陣列顯微結(jié)構(gòu)的表征和控制
作者：牛高,； 譚秀蘭,； 韓尚君； 羅江山,；
關(guān)鍵詞：顯微結(jié)構(gòu),； 銅納米線陣列,； 電沉積； 陽(yáng)極氧化鋁,；
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心,；
摘要： 采用多孔氧化鋁(AAO)模板脈沖電沉積法制備了強(qiáng)輻射源用銅納米線陣列材料,并用掃描電子顯微鏡(SEM),、能譜(EDS)和X射線衍射(XRD)對(duì)其進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征。結(jié)果表明電沉積的峰值電流強(qiáng)度和輔助陰極可以影響銅納米線的表面質(zhì)量,、長(zhǎng)度分布均勻性和微區(qū)長(zhǎng)度起伏,。減小峰值電流強(qiáng)度,可以明顯改善單根銅納米線的表面質(zhì)量,但是對(duì)銅納米線陣列長(zhǎng)度分布均勻性和微區(qū)長(zhǎng)度起伏影響程度有限。添加輔助陰極,不僅可以改善單根銅納米線的表面質(zhì)量,還可以顯著提高銅納米線陣列長(zhǎng)度分布均勻性,并改善其微區(qū)長(zhǎng)度起伏情況,。
