編號：CPJS01591
篇名：導電硅藻土粉體制備及性能研究
作者：杜玉成； 顏晶,； 孟琪,； 李揚；
關(guān)鍵詞：硅藻土,； 化學共沉淀,； 導電性能；
機構(gòu)： 北京工業(yè)大學新型功能材料教育部重點實驗室,；
摘要： 采用化學共沉淀法制備硅藻土表面包覆銻摻雜二氧化錫導電粉體,并對制備工藝條件進行詳細研究;采用X射線衍射,、掃描電鏡、透射電鏡對樣品進行表征,采用四探針儀測試樣品導電性能,。結(jié)果表明:最佳的制備工藝條件為:溶液溫度40℃,、反應時間1 h、pH為1,、Sn4+與Sb3+的物質(zhì)的量比為8∶1,、包覆率為38%、700℃下煅燒1 h,。硅藻土表面形成厚度為30 nm左右的金紅石結(jié)構(gòu)的均勻包覆層,樣品體積電阻率最低可達18Ω.cm,。
