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YLuAG:Ce粉體的發(fā)光及閃爍特征: 制備方法及缺陷效應(英文)

編號:FTJS03434

篇名:YLuAG:Ce粉體的發(fā)光及閃爍特征: 制備方法及缺陷效應(英文)

作者:張孔; 劉茜,; 蘇曉彬,; 鐘紅梅; 石云,; 潘裕柏,;

關鍵詞:YLuAG:Ce熒光粉,; 合成; 發(fā)光,; 衰減時間,; 缺陷;

機構: 高性能陶瓷和超微結(jié)構國家重點實驗室中國科學院上海硅酸鹽研究所,; 中國科學院研究生院,; 中國科學院透明光功能無機材料重點實驗室中科院上海硅酸鹽研究所;

摘要: 采用硝酸鹽熱解法(NP),、碳酸氫銨共沉淀法(CP)以及檸檬酸鹽燃燒法(CC)分別制備了YLuAG:Ce(Y0.600Lu2.364Al5O12:Ce0.036)熒光粉體. 通過傅里葉變換紅外光譜(FTIR), X 射線衍射(XRD), 透射電子顯微鏡(TEM), 光致發(fā)光(PL)及熱釋光(TL)等表征手段研究了不同方法制備粉體的反應結(jié)晶過程,、晶粒形貌、激發(fā)發(fā)射光譜,、閃爍性能等. 對比研究表明, 三種方法制備的YLuAG:Ce粉體其表面及體相缺陷數(shù)量及分布存在差異, 從而導致了發(fā)射光譜峰位的偏移和快慢衰減時間分量的比例變化. 粉體的熱釋光譜分析結(jié)果進一步顯示: 不同粉體熱釋光譜的主發(fā)射峰峰位及強度明顯不同, 從側(cè)面說明了合成方法誘發(fā)了粉體內(nèi)的缺陷, 而粉體內(nèi)具有不同陷阱深度的缺陷數(shù)量及陷阱復合幾率對材料發(fā)光性能有較大影響.

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