編號：FTJS03425
篇名：氧化硅緩沖層對于退火形成鍺量子點的作用研究
作者：張磊； 葉輝； 皇甫幼睿,； 劉旭,；
關(guān)鍵詞：鍺量子點,； 二氧化硅,； 退火,；
機構(gòu)： 浙江大學(xué)現(xiàn)代光學(xué)儀器國家重點實驗室,；
摘要： 在化學(xué)氧化得到的二氧化硅薄層覆蓋的硅襯底上,室溫淀積鍺膜并進(jìn)行后期退火處理.實驗表明,不同于傳統(tǒng)退火過程形成大島,通過一定工藝的控制可以獲得高密度(～1011cm-2)的均勻鍺量子點.研究了后期退火溫度對量子點的結(jié)構(gòu)影響的局部反常規(guī)律并進(jìn)行了原因分析.利用拉曼和熒光光譜研究了其應(yīng)力和發(fā)光特性,發(fā)現(xiàn)在可見(500nm)和近紅外(1350nm)的兩個光致熒光峰出現(xiàn).
