編號：FTJS03354
篇名：純Mg表面TiO_2薄膜的電化學腐蝕行為
作者：謝奉妤； 高家誠,； 胡德,； 張敏；
關鍵詞：二氧化鈦,； 純Mg,； 腐蝕； 電化學阻值,；
機構(gòu)： 重慶大學國家鎂合金材料工程技術研究中心,； 重慶大學材料科學工程學院；
摘要： 以四氯化鈦為前軀體,去離子水為溶劑,鹽酸作為抑制劑,采用溶膠-凝膠的方法制得TiO2溶膠,采用浸漬-提拉技術在純鎂基體上制得TiO2薄膜,以提高純鎂基體的耐蝕性,。通過正交實驗,以電化學阻抗值作為評價標準,研究了熱處理溫度、涂層次數(shù),、溶膠濃度對試樣耐腐蝕性的影響,。結(jié)果表明:溶膠濃度為0.5%,涂層次數(shù)為3,熱處理溫度為100℃下得到的TiO2薄膜具有最好的耐蝕性。
