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含氮SW缺陷對單壁碳納米管電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響

編號(hào):NMJS03228

篇名:含氮SW缺陷對單壁碳納米管電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響

作者:張麗娟,; 胡慧芳,; 王志勇; 陳南庭,; 謝能,; 林冰冰;

關(guān)鍵詞:單壁碳納米管,; Stone-Wales缺陷,; 氮摻雜; 光學(xué)性質(zhì),;

機(jī)構(gòu): 廣東藥學(xué)院中山校區(qū)實(shí)驗(yàn)中心,; 湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院;

摘要: 應(yīng)用第一性原理密度泛函理論研究了單壁碳納米管中Stone-Wales(SW)缺陷和氮摻雜情況下的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì).研究發(fā)現(xiàn),含氮SW缺陷單壁碳納米管體系的總能降低,結(jié)合更穩(wěn)定,且在費(fèi)米能級附近出現(xiàn)一條半滿的雜質(zhì)帶,并且隨著氮摻雜位置的不同,摻雜能態(tài)出現(xiàn)顯著差異.碳管的吸收和反射明顯減弱且吸收峰和反射峰在低能區(qū)發(fā)生紅移現(xiàn)象,在能量小于11eV附近均出現(xiàn)雜質(zhì)特征峰.本文對計(jì)算結(jié)果進(jìn)行了分析研究,可望為含氮SW缺陷碳管在光電材料中的應(yīng)用提供理論依據(jù).

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