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純硅負(fù)極在充放電過(guò)程中體積膨脹率過(guò)高是負(fù)極材料難題，對(duì)于無(wú)定形硅,、多晶硅,、單晶硅的表現(xiàn)不一樣及相關(guān)機(jī)理如下：

區(qū)別

?無(wú)定形硅：原子排列無(wú)序，不存在規(guī)整的晶格結(jié)構(gòu),，充放電過(guò)程中各方向的膨脹相對(duì)較為均勻,，但由于其本身結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性，體積膨脹率可能更高,，一般會(huì)達(dá)到 300% 左右 ,。

?多晶硅：由許多不同排列方向的單晶粒組成,，存在大量晶界。在充放電時(shí),，由于晶界處原子排列不規(guī)則,，會(huì)成為應(yīng)力集中點(diǎn)，使得硅顆粒在這些位置更容易發(fā)生破裂和粉化,，進(jìn)而導(dǎo)致整體體積膨脹,，其膨脹率也比較高，接近 300%3 ,。

?單晶硅：原子排列高度規(guī)整且周期性延續(xù),，具有較少的晶格缺陷，結(jié)構(gòu)相對(duì)穩(wěn)定,。在充放電過(guò)程中,，雖然也會(huì)因鋰嵌入導(dǎo)致體積膨脹，但膨脹方向相對(duì)較為一致,，且由于其結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,，對(duì)膨脹有一定的抑制作用，其體積膨脹率相對(duì)較低,，約為 200%-250% 左右 ,。

機(jī)理

?無(wú)定形硅：在充放電過(guò)程中，鋰離子嵌入無(wú)定形硅時(shí),，會(huì)破壞原有的原子間鍵合,，使硅原子間的距離增大，同時(shí)由于其原子排列無(wú)序,，沒(méi)有固定的晶格限制,，各個(gè)原子都有較大的自由度來(lái)調(diào)整位置以容納鋰離子，從而導(dǎo)致整體體積大幅膨脹,。并且,，由于無(wú)定形硅中的部分原子含有懸空鍵，這些懸空鍵在與鋰離子相互作用時(shí),，也可能會(huì)引起局部結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步變形和膨脹 ,。

?多晶硅：多晶硅中的每個(gè)單晶粒在充放電時(shí)都會(huì)像單晶硅一樣發(fā)生體積膨脹，但由于不同單晶粒的晶體取向不同,，膨脹方向不一致,，在晶界處會(huì)產(chǎn)生相互擠壓和錯(cuò)動(dòng)，這種不均勻的膨脹會(huì)導(dǎo)致晶界處產(chǎn)生較大的應(yīng)力集中,。當(dāng)應(yīng)力超過(guò)材料的承受極限時(shí),，晶界就會(huì)出現(xiàn)裂紋和破碎，使得硅顆粒逐漸粉化，進(jìn)一步加劇了體積的膨脹.

?單晶硅：?jiǎn)尉Ч璧?/span>晶體結(jié)構(gòu)規(guī)整,，鋰離子在嵌入時(shí),，主要是沿著特定的晶格方向進(jìn)行擴(kuò)散和嵌入，導(dǎo)致硅原子在這些方向上的間距增大,，從而引起體積膨脹,。雖然其膨脹率相對(duì)較低，但由于單晶硅的高強(qiáng)度和高硬度等特性,，這種膨脹產(chǎn)生的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)電極材料的結(jié)構(gòu)和性能產(chǎn)生較大影響,，如導(dǎo)致電極材料的開(kāi)裂和脫落等.

硅晶粉，它的晶態(tài)是它勝出其他材料的根本,。