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在薄膜晶體管液晶顯示器（t h i n—f i l m t r a n s i s t o r—l i q u i dcrystal display,，TFT—LCD）中的導(dǎo)電薄膜按材質(zhì)分為遮光型和透光型2大類。遮光型導(dǎo)電薄膜就是普通的導(dǎo)電金屬,，如鋁（A l）,、銅（C u）、鉬（M o）,、鉻（C r）、鈦（T i）等,。透光薄膜一般是在一些半導(dǎo)體氧化物中摻雜金屬元素,，如I TO等[1]。T FT—LCD導(dǎo)電薄膜的特殊性在于使用了透明的摻錫

氧化錫,，所以已成為TF T—L CD的制造重要的電極材料,。

T F T—L C D工藝按順序分為陣列( A r r a y )、成盒( C e l l )和模塊(Mo d u l e ),。以5層薄膜圖案的工藝為例,，I TO靶材主要是通過濺射（sputter）成膜工藝形成像素電極,，與彩膜基板上的共用電極一起形成液晶像素的上下電極,，控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)顯示。其在5層薄膜圖案的工藝流程是: 濺射前清洗→ITO濺射→I T O后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→I T O濕刻→刻蝕后檢查→去膠→退火→陣列終檢→激光修復(fù)

此外,，I T O薄膜還有2個(gè)作用：一是存儲(chǔ)電容上的I T O為存儲(chǔ)電容的另一個(gè)電極,，與第一次光刻的金屬電極一起形成了存儲(chǔ)電容的上下電極，2電極之間的介質(zhì)層為絕緣層和鈍化層,。二是外引線處的I T O為柵線和信號(hào)線金屬的保護(hù)層,，為防止金屬電極直接暴露在大氣下氧化，在外引線暴露金屬電極的部分覆蓋上I T O起到保護(hù)作用,。