日本的產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）于近日成立了“納米電子元件研究中心”。目的是推進(jìn)半導(dǎo)體元件的微細(xì)化,，以及開發(fā)取代CMOS晶體管微細(xì)化的,、基于新原理的技術(shù)。
　　該中心將推進(jìn)32nm及22nm工藝半導(dǎo)體元件的微細(xì)化和高性能化,。為此,，將從高性能元件的試制及其電特性測試、納米級別的物理測量評價分析,、第一原理電子狀態(tài)計算,、元件模擬等全方位的科學(xué)計算分析。
　　此外,，還將開發(fā)取代CMOS晶體管微細(xì)化的,、基于新原理的技術(shù)。這是因為,，32nm工藝以后的微細(xì)化需要導(dǎo)入新材料,、新構(gòu)造及新生產(chǎn)工藝，但該領(lǐng)域預(yù)計到2020年左右將達(dá)到極限,。通過開發(fā)基于新原理的技術(shù),，有望解決這一問題。將建立與外部機(jī)構(gòu)共用的研發(fā)設(shè)施“NeIP（納米電子技術(shù)創(chuàng)新平臺）”,，與產(chǎn)綜研的其他部門及外部機(jī)構(gòu)合作,，將其用作把基本技術(shù)與元件實證相結(jié)合的設(shè)施。將以CMOS技術(shù)為基礎(chǔ),，高效試制新材料及新構(gòu)造元件,，推進(jìn)可將測定數(shù)據(jù)和模擬試驗結(jié)果進(jìn)行系統(tǒng)性積累的知識管理,。
　　另外，該中心為了推進(jìn)新一代半導(dǎo)體的研發(fā),，將繼續(xù)推進(jìn)通過NEDO（新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)）委托的國家項目“半導(dǎo)體MIRAI項目”培育的技術(shù),。產(chǎn)綜研的新一代半導(dǎo)體研究中心等參與了半導(dǎo)體MIRAI項目。產(chǎn)綜研稱,，半導(dǎo)體MIRAI項目在應(yīng)變硅技術(shù)及高介電常數(shù)柵極絕緣膜技術(shù)等領(lǐng)域,，在保持 CMOS晶體管構(gòu)造的前提下提高性能方面取得了巨大成果。但是,，隨著CMOS晶體管的尺寸逐漸接近10nm原子水平,，需要開展包括半導(dǎo)體之外的技術(shù)領(lǐng)域在內(nèi)的研發(fā)等，因此產(chǎn)綜研決定設(shè)立納米電子元件研究中心,。