隨著科學技術的飛速發(fā)展,，半導體材料的革新速度也進一步加快。當前,，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表,，在新能源汽車,、光伏,、儲能等新興領域正快速滲透,，已成為全球半導體產業(yè)的前沿和制高點。同時,，我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域,，碳化硅半導體將在我國5G基站建設,、特高壓,、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁,、大數據中心等新基建領域發(fā)揮重要作用,。
近年來，我國在SiC材料領域取得了顯著進展,，但與國際先進水平相比,，在晶體生長技術、晶圓加工技術等方面仍存在一定差距,。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制,、生長速率提升、晶體質量穩(wěn)定性等難題,；晶圓加工方面,，則存在加工精度不足、良品率低,、加工成本較高等挑戰(zhàn),。在當前倡導節(jié)能減排的大趨勢下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質量等關鍵問題,，才能夠更好地占據未來碳化硅市場,。
在此背景下，中國粉體網將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會，大會將匯聚國內行業(yè)專家,、學者,、技術人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長工藝,、關鍵原材料,、生長設備及應用、碳化硅晶片切,、磨,、拋技術等方面展開演講交流。常州臻晶半導體有限公司作為參展單位邀請您共同出席,。
公司成立于2020年10月,，位于常州武進區(qū)武宜南路377號國家高新區(qū)創(chuàng)業(yè)產業(yè)園。主營液相法SiC單晶爐及晶片,，擁有集晶體生長,、晶體晶片加工清洗檢測全套碳化硅晶片研發(fā)平臺和生產基地。擁有液相法單晶爐研制,、穩(wěn)定可靠熱場體系,、多元活性助溶劑配方、高品質低成本SiC長晶工藝等創(chuàng)新技術,。
公司榮獲2023年江蘇省雙創(chuàng)人才,、常州市“龍城英才計劃十七批領軍人才創(chuàng)業(yè)類項目、2024年常州市種子獨角獸企業(yè)等榮譽,。致力于成為低成本,、高品質碳化硅設備及材料世界龍頭供應商。
公司擁有核心研發(fā),、技術人才,，多位成員擁有幾十年在化合物半導體領域的研發(fā)及產業(yè)化經驗，設立研發(fā)部,、生產部,、銷售部、采購部,、財務部,、行政人事部、知識產權部,，質量部,，是一支集科研、生產,、銷售于一體的完善創(chuàng)始團隊,。
產品介紹
1、碳化硅液相法電阻長晶爐
可視化
通過監(jiān)控設備可以實時察看晶體生長界面和溶液狀態(tài)。
兼容性強
兼容6-8英寸晶體生長,兼容P型,、N型單晶生長，兼容PVT方法單晶生長,。
工藝重復性好
電阻法的工藝參數相對容易控制和穩(wěn)定，有利于研發(fā)階段成功工藝的復刻,，也有利于模量產階段保證產品質量的一致性。
維護成本低
電阻法對熱場的腐蝕更輕,，同樣的熱場可以使用更多的爐次,降低熱場更換頻率并減少維護成本,。
延展性強
客戶可在我們提供的工藝包基礎上自由拓展，匹配不同工藝路線,。
技術路線更寬
電阻法制備碳化硅晶錠技術可以與其他先進的晶體生長技術或先進材料處理技術相結合,，為碳化硅材料的研發(fā)和應用提供更多的可能性。
電阻爐的優(yōu)勢
溫度控制更精準
電阻爐的加熱器距離坩堝較近,輻射面積集中,，可更精準地控制坩堝溫度,。
溫度梯度更合理
電阻法獨特的加熱方式可以實現(xiàn)更合理的溫度梯度能更好的減少晶體生長過程中出現(xiàn)的各種缺陷。
2,、液相法sic籽晶-6英寸siC籽晶
●籽晶痛點
提高PVT生長SiC晶體品質最有效的方法就是使用更高品質的籽晶,而通過PVT法自身培育的籽晶,，因PVT法自身的技術特點,培育的籽晶有微管、位錯密度高,品質很難突破,。
●液相法生長籽晶價值
SiC液相法生長溫度相對較低,近平衡態(tài)生長,結晶質量高,易長厚,易擴徑,因此培育的籽晶無微管,位錯密度低,，品質高。
3,、柔性粘接工藝包&電阻加熱燒結爐
柔性粘接
采用的柔性粘接工藝,后期有利于零損傷取單晶
工藝改善
優(yōu)化改善碳化硅晶體生長應力問題
自動化控制
程序編撰，半自動化控制
精密化定位
精密配合,，避免人員誤差累積
適配性強
適合液相法生長使用,，適合零基礎
會務組
聯(lián)系人：段經理
電話：13810445572
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