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常州臻晶半導(dǎo)體與您相約江蘇,!2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會


來源:中國粉體網(wǎng) 粉享匯   粉享匯

[導(dǎo)讀]  2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會,,8月21日相約江蘇·蘇州

隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,,半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快,。當(dāng)前,,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,,在新能源汽車,、光伏,、儲能等新興領(lǐng)域正快速滲透,已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn),。同時,,我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域,,碳化硅半導(dǎo)體將在我國5G基站建設(shè)、特高壓,、城際高速鐵路和城市軌道交通,、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,。


近年來,,我國在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展,但與國際先進(jìn)水平相比,,在晶體生長技術(shù),、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制,、生長速率提升,、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題;晶圓加工方面,,則存在加工精度不足,、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn),。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢下,,快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問題,才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場,。


在此背景下,,中國粉體網(wǎng)將于2025年8月21日江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會,大會將匯聚國內(nèi)行業(yè)專家,、學(xué)者,、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長工藝,、關(guān)鍵原材料,、生長設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切,、磨,、拋技術(shù)等方面展開演講交流。常州臻晶半導(dǎo)體有限公司作為參展單位邀請您共同出席,。




公司成立于2020年10月,,位于常州武進(jìn)區(qū)武宜南路377號國家高新區(qū)創(chuàng)業(yè)產(chǎn)業(yè)園。主營液相法SiC單晶爐及晶片,,擁有集晶體生長,、晶體晶片加工清洗檢測全套碳化硅晶片研發(fā)平臺和生產(chǎn)基地。擁有液相法單晶爐研制,、穩(wěn)定可靠熱場體系,、多元活性助溶劑配方、高品質(zhì)低成本SiC長晶工藝等創(chuàng)新技術(shù),。


公司榮獲2023年江蘇省雙創(chuàng)人才,、常州市“龍城英才計劃十七批領(lǐng)軍人才創(chuàng)業(yè)類項目、2024年常州市種子獨(dú)角獸企業(yè)等榮譽(yù),。致力于成為低成本,、高品質(zhì)碳化硅設(shè)備及材料世界龍頭供應(yīng)商。


公司擁有核心研發(fā),、技術(shù)人才,,多位成員擁有幾十年在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,設(shè)立研發(fā)部,、生產(chǎn)部,、銷售部、采購部,、財務(wù)部,、行政人事部、知識產(chǎn)權(quán)部,,質(zhì)量部,,是一支集科研、生產(chǎn),、銷售于一體的完善創(chuàng)始團(tuán)隊,。



產(chǎn)品介紹


1、碳化硅液相法電阻長晶爐



可視化


通過監(jiān)控設(shè)備可以實時察看晶體生長界面和溶液狀態(tài),。


兼容性強(qiáng)


兼容6-8英寸晶體生長,兼容P型,、N型單晶生長,兼容PVT方法單晶生長,。


工藝重復(fù)性好


電阻法的工藝參數(shù)相對容易控制和穩(wěn)定,,有利于研發(fā)階段成功工藝的復(fù)刻,也有利于模量產(chǎn)階段保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性,。


維護(hù)成本低


電阻法對熱場的腐蝕更輕,,同樣的熱場可以使用更多的爐次,降低熱場更換頻率并減少維護(hù)成本。


延展性強(qiáng)


客戶可在我們提供的工藝包基礎(chǔ)上自由拓展,,匹配不同工藝路線,。


技術(shù)路線更寬


電阻法制備碳化硅晶錠技術(shù)可以與其他先進(jìn)的晶體生長技術(shù)或先進(jìn)材料處理技術(shù)相結(jié)合,為碳化硅材料的研發(fā)和應(yīng)用提供更多的可能性,。



電阻爐的優(yōu)勢



溫度控制更精準(zhǔn)


電阻爐的加熱器距離坩堝較近,輻射面積集中,,可更精準(zhǔn)地控制坩堝溫度。



溫度梯度更合理


電阻法獨(dú)特的加熱方式可以實現(xiàn)更合理的溫度梯度能更好的減少晶體生長過程中出現(xiàn)的各種缺陷,。



2,、液相法sic籽晶-6英寸siC籽晶



●籽晶痛點(diǎn)


提高PVT生長SiC晶體品質(zhì)最有效的方法就是使用更高品質(zhì)的籽晶,而通過PVT法自身培育的籽晶,,因PVT法自身的技術(shù)特點(diǎn),培育的籽晶有微管、位錯密度高,品質(zhì)很難突破,。


●液相法生長籽晶價值


SiC液相法生長溫度相對較低,近平衡態(tài)生長,結(jié)晶質(zhì)量高,易長厚,易擴(kuò)徑,因此培育的籽晶無微管,位錯密度低,,品質(zhì)高。



3,、柔性粘接工藝包&電阻加熱燒結(jié)爐



柔性粘接


采用的柔性粘接工藝,后期有利于零損傷取單晶


工藝改善


優(yōu)化改善碳化硅晶體生長應(yīng)力問題


自動化控制


程序編撰,,半自動化控制


精密化定位


精密配合,避免人員誤差累積


適配性強(qiáng)


適合液相法生長使用,,適合零基礎(chǔ)









會務(wù)組

聯(lián)系人:段經(jīng)理

電話:13810445572

郵箱:[email protected]




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