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國(guó)產(chǎn)氮化硅基板突圍!揭秘千億賽道背后的技術(shù)突破與市場(chǎng)狂飆


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   輕言

[導(dǎo)讀]  氮化硅陶瓷基板需求迎來(lái)了快速發(fā)展階段,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  隨著以SiC為襯底的第3代半導(dǎo)體芯片在新能源汽車、5G,、新能源領(lǐng)域的快速推廣,,氮化硅(Si3N4)陶瓷基板需求也迎來(lái)了快速發(fā)展階段。


氮化硅陶瓷基板材料


氧化鈹(BeO),、氧化鋁(Al2O3),、氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)4種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷基板材料。


Si3N4陶瓷是綜合性能最好的陶瓷基板材料,,熱導(dǎo)率可達(dá)90~120W/(m·k),,熱膨脹系數(shù)為3.2×10-6/℃,并具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度,、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和抗熱沖擊性,。盡管Si3N4陶瓷基板具有略低于AlN的導(dǎo)熱性,但其抗彎強(qiáng)度,、斷裂韌性都可達(dá)到AlN的2倍以上,,同時(shí),Si3N4陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第3代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近,,使其能夠與SiC晶體材料匹配性更穩(wěn)定,。


3種陶瓷基板材料性能對(duì)比


氮化硅是國(guó)內(nèi)外公認(rèn)兼具高導(dǎo)熱、高可靠性等綜合性能的陶瓷基板材料,,這使Si3N4陶瓷基板成為半導(dǎo)體功率器件高導(dǎo)熱基板材料的首選,。


高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板 圖源:中新高材


氮化硅陶瓷基板市場(chǎng)及發(fā)展


氮化硅陶瓷基板作為高性能電子封裝材料,,2025年全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)突破50億美元,中國(guó)成為最大生產(chǎn)和消費(fèi)國(guó),。全球產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)日歐美主導(dǎo)高端技術(shù),、中國(guó)加速國(guó)產(chǎn)替代的競(jìng)爭(zhēng)格局,2025年中國(guó)本土企業(yè)產(chǎn)能占比預(yù)計(jì)達(dá)35%,,較2022年提升12個(gè)百分點(diǎn),。


制備工藝的創(chuàng)新是行業(yè)核心驅(qū)動(dòng)力。流延成型與氣壓燒結(jié)技術(shù)的結(jié)合使中國(guó)企業(yè)在生產(chǎn)成本上具備競(jìng)爭(zhēng)力,,單片基板價(jià)格從2022年的120美元降至2025年的75美元,。激光切割技術(shù)的普及將良品率提升至92%,接近國(guó)際頭部企業(yè)水平,。射頻領(lǐng)域?qū)Τ』澹ê穸龋?.15mm)的需求推動(dòng)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的升級(jí),,日本企業(yè)仍保持該領(lǐng)域80%的市場(chǎng)份額。


政策支持力度持續(xù)加大,。中國(guó)“十四五”新材料規(guī)劃將氮化硅陶瓷列為關(guān)鍵戰(zhàn)略材料,,多個(gè)地方政府提供15%-20%的研發(fā)補(bǔ)貼。2024年新發(fā)布的《電子封裝材料行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)》首次明確氮化硅基板的熱循環(huán)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),,加速低端產(chǎn)能出清,。歐洲和美國(guó)則通過(guò)碳足跡認(rèn)證限制高能耗生產(chǎn)工藝,倒逼企業(yè)升級(jí)減排技術(shù),。


下游應(yīng)用場(chǎng)景呈現(xiàn)分化趨勢(shì),。新能源汽車電機(jī)控制器占據(jù)全球需求總量的42%,光伏逆變器占比28%,。中國(guó)在風(fēng)電領(lǐng)域的新技術(shù)路線——直接液冷模塊采用氮化硅基板替代銅基板,,2025年試點(diǎn)項(xiàng)目已覆蓋3個(gè)海上風(fēng)場(chǎng)。消費(fèi)電子領(lǐng)域受限于成本,,滲透率不足5%,,但AR/VR設(shè)備對(duì)微型化基板的需求可能成為新增長(zhǎng)點(diǎn)。


中材高新材料股份有限公司(簡(jiǎn)稱"“中材高新”)的中材高新氮化物陶瓷有限公司(簡(jiǎn)稱“中材高新氮化物公司”)在“十三五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃支持下,,系統(tǒng)研究并突破了導(dǎo)熱Si3N4基板制備的技術(shù)關(guān)鍵和工程化技術(shù)問(wèn)題,,通過(guò)Si3N4粉體改性處理、晶格氧含量及晶界相控制,、微觀組織定向排布等多種技術(shù)組合,以及突破了材料均化,、成型,、燒結(jié)、表面處理及覆銅除了等多個(gè)制備工藝技術(shù),,研制出及高導(dǎo)熱,、高可靠性于一體綜合和性能優(yōu)異的半導(dǎo)體絕緣基板材料,,建立起年產(chǎn)10萬(wàn)片(114mm×114mm)中試生產(chǎn)線。


2025年5月28日,,中國(guó)粉體網(wǎng)將在江蘇·蘇州舉辦“第二屆高導(dǎo)熱材料與應(yīng)用技術(shù)大會(huì)暨導(dǎo)熱填料技術(shù)研討會(huì)”,。屆時(shí),我們邀請(qǐng)到中材高新材料股份有限公司首席專家張偉儒出席本次大會(huì)并作題為《高導(dǎo)熱氮化硅基板產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及進(jìn)展》的報(bào)告,。本報(bào)告將結(jié)合中材高新具體產(chǎn)品,,對(duì)氮化硅基板的制備技術(shù)以及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程進(jìn)行詳細(xì)介紹。



參考來(lái)源:

1.中國(guó)建材雜志,、中材高新,,中材高新氮化物公司

2.張偉儒. 第3代半導(dǎo)體碳化硅功率器件用高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板最新進(jìn)展. 新材料產(chǎn)業(yè)

3.IIM信息:氮化硅陶瓷基板行業(yè)技術(shù)發(fā)展與市場(chǎng)前景分析報(bào)告(2025年)


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/輕言)

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