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【原創(chuàng)】研磨與拋光是一回事嗎,?快來(lái)聽(tīng)我胡說(shuō)八道!


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  來(lái)聊一聊研磨和拋光啊,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  “研磨”,、“拋光”是我們?cè)诰芗庸ゎI(lǐng)域常常遇到的一對(duì)詞匯,,很多情況下兩者以“研磨拋光”的方式共同出現(xiàn),,那么,,兩者是一回事嗎,?


01.此“研磨”非彼“研磨”


小編首先求助了百度百科,它給出的解釋是:利用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒,,通過(guò)研具與工件在一定壓力下的相對(duì)運(yùn)動(dòng)對(duì)加工表面進(jìn)行的精整加工(如切削加工),。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料,加工的表面形狀有平面,,內(nèi),、外圓柱面和圓錐面,,凸、凹球面,,螺紋,,齒面及其他形面。



但隨后,,它又給出了兩條釋義(參考的相關(guān)詞典):


(1)用工具研成粉末,;

(2)用磨料摩擦器物使變得光潔。


很明顯,,在“研磨”一詞具有兩種釋義的情況下,,百度百科很片面的對(duì)“研磨”做出了定義:即只解釋了其在精密加工領(lǐng)域的意思。


通過(guò)對(duì)粉體加工,、精密加工兩個(gè)領(lǐng)域的了解可知,,“研磨”是這兩個(gè)領(lǐng)域常見(jiàn)到的概念,但代表的具體內(nèi)容是不同的,。


在粉體領(lǐng)域,,超細(xì)粉體往往具有比表面積大、表面活性高,、化學(xué)反應(yīng)速度快,、燒結(jié)溫度低且燒結(jié)體強(qiáng)度高、填充補(bǔ)強(qiáng)性能好,、遮蓋率高等優(yōu)良的物理化學(xué)性能,,使用性能更佳,附加值更高,。我們一般通過(guò)相關(guān)設(shè)備使研磨介質(zhì)與粉體之間進(jìn)行相互碰撞等機(jī)械作用實(shí)現(xiàn)粉體超細(xì)化,,典型的設(shè)備有球磨機(jī)砂磨機(jī)等,。



此外,,粉體在粒徑細(xì)到一定程度時(shí),會(huì)出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象,,原本細(xì)小的顆粒會(huì)聚集成團(tuán),,這對(duì)實(shí)際生產(chǎn)是十分不利的,為了解決粉體團(tuán)聚問(wèn)題,,工業(yè)上通常采用機(jī)械方式研磨解聚,,常用的研磨設(shè)備主要有臥式砂磨機(jī)、立式珠磨機(jī)和球磨機(jī)等,。


可見(jiàn),,在粉體加工領(lǐng)域,“研磨”一般指實(shí)現(xiàn)粉體細(xì)化的手段,,因此又常常和“粉碎”等共同出現(xiàn),,這與“研磨拋光”中的“研磨”是完全不同的。


02.“研磨拋光”中,,“研磨”和“拋光”的區(qū)別


在精密加工領(lǐng)域,,研磨是一種微量加工的工藝技術(shù),其通過(guò)在工作機(jī)器上借助研具以及研磨劑的力量,,微量進(jìn)給,,在工件表面施加壓力,加以低速研磨不斷改變,,去除工件上細(xì)微凸起的地方,,以達(dá)到在被加工工件表面進(jìn)行微量精密加工的目的。




拋光則是利用機(jī)械,、化學(xué)或電化學(xué),、磁力等作用降低工件表面的粗糙度,以獲得光亮,、平整表面的加工方法,。它是利用拋光工具和磨料顆粒或其他拋光介質(zhì)對(duì)工件表面進(jìn)行的修飾加工,。



碳化硅晶圓片,,來(lái)源:天岳先進(jìn)


研磨基本只采用機(jī)械的方法,所使用的磨料粒度比較粗,,即粒度較大,,目的為去除銑磨的損傷層。而拋光不能提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度,,而是以得到光滑表面或鏡面光澤為目的,,通常以拋光盤(pán)、拋光輪作為拋光工具,,配合拋光墊,、拋光液,以達(dá)到需要的面形精度和超光滑表面,,其加工精度及表面粗糙度遠(yuǎn)超研磨,。


因此,一般來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō),,研磨與拋光的精度要求不同,。對(duì)于超精密加工來(lái)說(shuō),研磨可視作拋光之前的基礎(chǔ)加工,。


如在半導(dǎo)體領(lǐng)域,,以碳化硅晶圓加工為例,研磨與拋光是兩個(gè)重要的加工環(huán)節(jié),。在晶體生長(zhǎng),、晶錠加工之后,,需要使用金剛石細(xì)線將碳化硅晶棒切割成滿足用戶需求的不同厚度的晶片,切割時(shí)會(huì)造成表面的線痕及損傷,,此時(shí)需要通過(guò)不同顆粒粒徑的金剛石研磨液將晶片研磨到所需的平整度和粗糙度,。


碳化硅晶片的工藝流程


接下來(lái)進(jìn)行碳化硅晶片拋光,碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋,,粗拋為機(jī)械拋光,,目的在于提高拋光的加工效率。精拋為單面拋光,,化學(xué)機(jī)械拋光是應(yīng)用最為廣泛的拋光技術(shù),,通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損協(xié)同作用,實(shí)現(xiàn)材料表面去除及平坦化,。晶片在拋光液的作用下發(fā)生氧化反應(yīng),,生成的軟化層在磨粒機(jī)械作用下相對(duì)容易被除去。作為單晶襯底加工的最后一道工藝,,化學(xué)機(jī)械拋光是實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底全局平坦化的常用方法,,也是保證被加工表面實(shí)現(xiàn)超光滑、無(wú)缺陷損傷的關(guān)鍵工藝,。


小結(jié)


粉體網(wǎng)編輯認(rèn)為,,“研磨”與“拋光”不盡相同,在粉體加工領(lǐng)域,,“研磨”一般指實(shí)現(xiàn)粉體細(xì)化的手段或過(guò)程,,這與“拋光”實(shí)屬八竿子打不著。而在精密加工領(lǐng)域,,兩者本質(zhì)上并沒(méi)有太大的區(qū)別,,只是在精度要求、磨料和研具材料的選擇上有所不同,,一般將研磨視作拋光之前的基礎(chǔ)加工,。(不正之處,請(qǐng)讀者指正,、補(bǔ)充,。)


(中國(guó)粉體網(wǎng)/山川)

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作者:山川

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