中國粉體網(wǎng)訊  近日，山東旌丞新材料科技有限公司（以下簡稱：旌丞新材）發(fā)布消息,，經(jīng)過多年的研發(fā)積累及多輪次客戶驗證,，旌丞新材電子級高純碳化硅部件（＞4N）及QCVD高純碳化硅涂層(＞6N)產(chǎn)業(yè)化項目，擬在山東濟南進行產(chǎn)業(yè)化建設,，項目一期投資10億元,，擬于2025年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)。

碳化硅陶瓷：半導體制程中離不開的材料

碳化硅（SiC）作為重要的高端精密半導體材料,，由于具有良好的耐高溫,、耐腐蝕性、耐磨性,、高溫力學性,、抗氧化性等特性，在半導體,、核能,、國防及空間技術等高科技領域具有廣闊的應用前景。

碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度,，不易變形,，并且具有較高的導熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性高,，因此碳化硅陶瓷作為一種優(yōu)良的結(jié)構材料在半導體設備中有廣泛的應用,。例如在研磨拋光吸盤、光刻吸盤,、檢測吸盤,、精密運動平臺、刻蝕環(huán)節(jié)的高純碳化硅部件,、封裝檢測環(huán)節(jié)中精密運動系統(tǒng)等等,，作用極其重要。

此外,，SiC涂層作為半導體生產(chǎn)中的常用耗材,，主要用于襯底、外延,、氧化擴散,、刻蝕和離子注入等環(huán)節(jié)。不同材質(zhì)的外延爐需要不同性能指標的石墨托盤,，石墨材料的熱膨脹系數(shù)匹配要求適應外延爐生長溫度,，例如碳化硅生長外延的溫度較高,，需要熱膨脹系數(shù)匹配度高的托盤。SiC的熱膨脹系數(shù)與石墨的熱膨脹系數(shù)相差很小,，適合作為石墨基座表面涂層的首選材料,。

關于旌丞新材

旌丞新材成立于2024年，主要從事軍民兩用高端復合材料產(chǎn)品,、先進陶瓷材料零部件的研發(fā),、制造、銷售,、服務以及泛半導體設備表面處理服務,，擁有由超高分子量聚乙烯纖維、碳化硅,、氧化鋁,、氧化鋯等材料組成的先進陶瓷基礎材料體系，是國內(nèi)半導體設備用先進陶瓷材料零部件的方案解決企業(yè),。

公司主要產(chǎn)品有超高分子量聚乙烯纖維防彈板,、網(wǎng)繩、無傘空投產(chǎn)品及軍民兩用防護產(chǎn)品,；應用于半導體制造,、電子（包括鋰電池）材料粉體粉碎和分級、燃料電池制造,、化工環(huán)保,、汽車制造、生物醫(yī)藥以及傳統(tǒng)的紡織造紙等領域的設備和生產(chǎn)過程中的先進陶瓷材料零部件產(chǎn)品,；國內(nèi)領先的泛半導體設備表面處理服務等,。

官網(wǎng)顯示，目前公司核心項目集中在碳陶剎車片和碳化硅材料的研發(fā)與應用上,。2024年12月,，公司成功研制出一種低成本短纖碳陶剎車盤，該剎車盤采用了先進的短纖維增強技術,，不僅提高了材料的強度和耐熱性,，而且大幅度降低了生產(chǎn)成本。

來源：旌丞新材官網(wǎng),、山東半導體商會

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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