中國粉體網訊 近日，由奧趨光電技術（杭州）有限公司牽頭起草的標準T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯密度檢測方法腐蝕坑密度測量法》,、由中國科學院半導體研究所牽頭起草的標準T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測試方法》已完成征求意見稿的編制,，正式面向北京第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員單位征求意見，非聯(lián)盟成員單位如有需要,，可發(fā)送郵件,。
氮化物寬禁帶半導體，包括氮化鎵（GaN）,、氮化鋁（AlN）等,，在藍光－紫外光電器件、高頻大功率電子器件等領域具有重要應用,。AlN具有高絕緣性,、高熱導率、高紫外透射率,、較強的抗輻射能力以及高化學穩(wěn)定性與熱穩(wěn)定性等優(yōu)良特性,，其原料來源豐富且無污染，可廣泛應用于微電子與光電子領域,。
奧趨光電技術（杭州）有限公司始創(chuàng)于2016年5月,，是一家由半導體領域頂尖技術專家、海外歸國學者團隊領銜創(chuàng)立的高科技創(chuàng)新型企業(yè),，奧趨光電核心專注于第三代/第四代超寬禁帶半導體氮化鋁單晶晶圓襯底材料,、硅基/藍寶石基/碳化硅基氮化鋁及鋁鈧氮薄膜模板、全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關產品的研發(fā),、制造與銷售,。
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奧趨光電牽頭起草的T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯密度檢測方法腐蝕坑密度測量法》描述了用擇優(yōu)化腐蝕技術測試氮化鋁拋光片中位錯密度的方法，包括方法原理,、儀器設備,、測試條件、樣品,、測試步驟,、結果計算和測試報告,。該文件適用于拋光加工后位錯密度小于10*7個/cm2的氮化鋁拋光片位錯密度的測試，適用于1英寸,、2英寸,、3英寸、4英寸直徑氮化鋁拋光片的測試,。氮化鋁外延片可參照使用,。
中國科學院半導體研究所于1960年9月6日在北京成立，擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心,、光電子器件國家工程研究中心,；兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室,、半導體芯片物理與技術全國重點實驗室,；一個院級實驗室——中國科學院固態(tài)光電信息技術重點實驗室。此外,，還設有納米光電子實驗室,、人工智能與高速電路實驗室、光電系統(tǒng)實驗室,、全固態(tài)光源實驗室,、寬禁帶半導體研發(fā)中心、光電子工程中心,、半導體集成技術工程研究中心和元器件檢測中心,。
中國科學院半導體研究所官網
半導體所牽頭起草的T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測試方法》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收系數(shù)的測試方法，包括原理,、儀器設備,、測試條件、樣品,、測試步驟,、結果計算和測試報告。該文件適用于氮化鋁拋光片的光學質量控制和評估,。氮化鋁外延片可參照使用,。
參考來源：
[1] 付潤定，AlN體單晶的性質,、拋光與外延研究
[2] 奧趨光電官網、第三代半導體產業(yè)技術戰(zhàn)略聯(lián)盟,、中國科學院半導體研究所官網
（中國粉體網編輯整理/山林）
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