中國粉體網(wǎng)訊 氣凝膠由于其高比表面積,、高孔隙率,、低密度和低熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,,已被廣泛應(yīng)用于隔熱保溫,、吸附,、催化和能源等領(lǐng)域,,但隨著氣凝膠應(yīng)用領(lǐng)域的越發(fā)廣泛,普遍應(yīng)用于650℃及以下隔熱領(lǐng)域的傳統(tǒng)SiO2氣凝膠在高溫下結(jié)構(gòu)易坍塌,,致使材料致密化,,從而喪失其優(yōu)異性能,其他氧化物基氣凝膠的高溫?zé)岱(wěn)定性也有待進(jìn)一步加強(qiáng),,高溫局限性極大地限制了氧化物基氣凝膠在高溫領(lǐng)域的應(yīng)用,。
碳化物是一種高硬度、高熔點(diǎn)和化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的化合物,,一般通過原位生成法制得,,在制備過程中控制工藝參數(shù)將碳化物制成氣凝膠結(jié)構(gòu),,可提升氣凝膠材料的使用溫度,進(jìn)而拓展在高溫領(lǐng)域的應(yīng)用,,如航天航空,、高溫窯爐、核能等領(lǐng)域,。碳化硅氣凝膠材料是典型代表之一,。
碳化硅氣凝膠的應(yīng)用
與多孔SiC陶瓷相比,SiC氣凝膠具有介孔結(jié)構(gòu)豐富,、比表面積高和密度低等優(yōu)勢,,在高溫隔熱、電磁吸波等領(lǐng)域表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力,。
高溫隔熱
碳化硅氣凝膠化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,、熱膨脹系數(shù)小、比消光系數(shù)高,、抗熱震性能好且在空氣中可耐1000℃以上高溫,,是一種有潛力的高溫隔熱材料,尤其適合應(yīng)用在強(qiáng)腐蝕,、強(qiáng)熱震,、電磁干擾嚴(yán)重的惡劣環(huán)境中。近十年來,,針對碳化硅氣凝膠隔熱材料,,研究重點(diǎn)主要集中在SiC陶瓷轉(zhuǎn)化工藝、熱導(dǎo)率優(yōu)化,、SiC纖維氣凝膠及其宏量制備等方面,。
為了碳化硅氣凝膠的進(jìn)一步應(yīng)用,應(yīng)克服其脆性,、力學(xué)性能差等缺陷,。SiC納米線具有一維納米材料的彈性、柔韌性以及SiC陶瓷優(yōu)異的高溫?zé)峄瘜W(xué)穩(wěn)定性的綜合特性,,使其具有廣泛的應(yīng)用前景,。
電磁吸波
SiC是一種重要的寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有介電性能好和理想的微波吸收性能的優(yōu)點(diǎn),,是一種被廣泛研究的電磁吸波材料,。近年來,由于氣凝膠的三維納米網(wǎng)絡(luò)多孔結(jié)構(gòu)通過增加電磁波在納米孔內(nèi)的反射次數(shù)可以有效提高電磁吸波性能,,SiC氣凝膠作為新型電磁吸波材料而受到廣泛關(guān)注。
SiC氣凝膠粉體作為高損耗吸波劑在涂覆型吸波材料領(lǐng)域應(yīng)用時(shí),,具有輕質(zhì),、耐高溫,、寬頻吸波等特點(diǎn);SiC氣凝膠作為塊體應(yīng)用時(shí),,不僅具有吸波性能,,還能滿足特殊部件的隔熱要求,實(shí)現(xiàn)構(gòu)件的吸波/隔熱一體化,。氣凝膠吸波材料領(lǐng)域的有限研究表明,,SiC氣凝膠可表現(xiàn)出較好的吸波特性,且具備SiC材料優(yōu)秀的耐高溫與穩(wěn)定性,,認(rèn)為其具備成為新型吸波/隔熱一體化材料的潛力,。
碳化硅氣凝膠的制備方法
近年來,研究人員開發(fā)出有機(jī)/SiO2復(fù)合氣凝膠碳熱還原法,、預(yù)陶瓷化聚合物裂解法,、化學(xué)氣相沉積法、高溫氣相滲硅法和SiC納米線自組裝法等新型方法,,用于制備高性能的塊狀SiC氣凝膠,。
有機(jī)/SiO2復(fù)合氣凝膠碳熱還原法
以有機(jī)/SiO2復(fù)合氣凝膠為前驅(qū)體,通過碳熱還原法制備塊狀SiC氣凝膠的基本技術(shù)路線為:首先通過溶膠-凝膠法制備有機(jī)/SiO2氣凝膠前驅(qū)體,,然后經(jīng)過炭化得到C/SiO2復(fù)合氣凝膠,,C/SiO2復(fù)合氣凝膠再經(jīng)過高溫碳(鎂)熱還原(和煅燒除去游離碳)即可得到SiC氣凝膠。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn),,在有機(jī)/SiO2復(fù)合氣凝膠碳熱還原法中,,前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)和碳熱還原工藝直接決定了最終SiC氣凝膠的結(jié)構(gòu)和性能。
預(yù)陶瓷化聚合物裂解法
利用預(yù)陶瓷化聚合物合成氣凝膠是氣凝膠制備的一個(gè)新領(lǐng)域,,對于SiC氣凝膠而言,,這種預(yù)陶瓷化聚合物裂解策略可以避免有機(jī)/SiO2復(fù)合氣凝膠碳熱還原法,擺脫了對首先要制備RF/SiO2氣凝膠的依賴,,而且預(yù)陶瓷化聚合物前驅(qū)體中的Si和C元素實(shí)現(xiàn)了原子級別的混合,,因此高溫?zé)崽幚頊囟蕊@著降低。根據(jù)預(yù)陶瓷化聚合物成型方式的不同,,又可以分為預(yù)陶瓷化聚合物直接交聯(lián)成型法和納米澆筑成型法,。
化學(xué)氣相沉積法
化學(xué)氣相沉積法制備SiC氣凝膠是指通過應(yīng)用聚合物熱解化學(xué)氣相沉積(PPCVD)在具有三維納米多孔網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的模板中制備SiC納米結(jié)構(gòu)單元,隨著構(gòu)筑單元的逐漸增多,,這些SiC納米結(jié)構(gòu)單元會發(fā)生自組裝,,去除模板后即可得到SiC氣凝膠,制備的SiC氣凝膠可以較好地保持模板的形狀和尺寸,。由于多孔炭材料具有孔隙均勻,、骨架結(jié)構(gòu)穩(wěn)固、孔隙率高和氧化溫度低等優(yōu)勢,,因此常被用作SiC氣凝膠的模板和生長基質(zhì),。
通過化學(xué)氣相沉積法制備的SiC氣凝膠多由SiC納米線組成,,因此具有良好的彈性、彎曲性和可逆壓縮性,。然而,,化學(xué)氣相沉積的制備過程需要苛刻的條件,成本較高,,不利于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn),。
高溫氣相滲硅法
高溫氣相滲硅法制備SiC氣凝膠是指在高溫真空環(huán)境中用氣相硅(Si蒸氣和氣相SiO)對多孔炭材料進(jìn)行高溫氣相滲透,使氣相硅進(jìn)入多孔結(jié)構(gòu)中并與碳組分發(fā)生反應(yīng)生成SiC,,進(jìn)而得到SiC氣凝膠,。
相比于傳統(tǒng)的多孔炭材料,用生物質(zhì)作為碳前驅(qū)體合成的多孔炭具有成本低廉和工藝簡單的優(yōu)勢,,采用生物質(zhì)作為原料進(jìn)行材料的制備和合成成為一個(gè)重要的研究方向,。
高溫氣相滲硅法制備SiC氣凝膠的工藝相對簡單,具有制備周期短,、組成可調(diào)節(jié)和易后加工等優(yōu)勢,,但也存在熱處理溫度較高和反應(yīng)時(shí)間較長的問題。高溫氣相滲硅法制備SiC氣凝膠對初始的多孔炭材料具有很高的要求,,因?yàn)槎嗫滋康奈⒂^結(jié)構(gòu)和形貌直接決定了制備的SiC氣凝膠的組織結(jié)構(gòu),。
SiC納米線組裝法
SiC納米線不僅具有SiC陶瓷的優(yōu)異性質(zhì),還表現(xiàn)出優(yōu)異的柔性,、彈性,、高彎曲強(qiáng)度和楊氏模量,因此制備三維SiC納米線氣凝膠是改善SiC氣凝膠脆性的重要思路,。
SiC納米線自組裝法制備的SiC氣凝膠具有優(yōu)異的柔性,、彈性和高彎曲性,且工藝簡單,,易大規(guī)模制備,。然而,高質(zhì)量的SiC納米線構(gòu)筑單元成本較高,,制備的SiC納米線氣凝膠是通過納米線之間的范德華力和靜電力等物理鍵結(jié)合組成,,強(qiáng)度較低,拉伸性能較差,,在快速熱沖擊或高溫下易遭受結(jié)構(gòu)退化,。
參考來源:中國粉體工業(yè):碳化硅氣凝膠的制備及應(yīng)用研究綜述
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安)
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