近日,，中山大學發(fā)布多批政府采購意向,，預算高達0.96億元，其中囊括化學機械拋光相關設備,，預計采購時間為2024年12月~2025年1月,。

化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技術被譽為是當今時代能實現(xiàn)集成電路（IC）制造中晶圓表面全局平坦化的目前唯一技術,，化學機械拋光的效果直接影響到芯片最終的質量和成品率,。

CMP工藝  來源：何潮等，半導體材料CMP過程中磨料的研究進展

CMP工藝平坦化原理是,，利用機械力作用于圓片表面,，同時由研磨液中的化學物質與圓片表面材料發(fā)生化學反應來增加其研磨速率。CMP技術所采用的設備及消耗品包括：拋光機,、拋光漿料,、拋光墊、后CMP清洗設備,、拋光終點檢測及工藝控制設備,、廢物處理和檢測設備等。

在CMP工藝中,，首先讓研磨液填充在研磨墊的空隙中,，圓片在研磨頭帶動下高速旋轉,，與研磨墊和研磨液中的研磨顆粒發(fā)生作用，同時需要控制研磨頭下壓力等其他參數(shù),。CMP 設備主要分為兩部分,，即拋光部分和清洗部分，拋光部分由4部分組成,，即3個拋光轉盤和一個圓片裝卸載模塊,。清洗部分負責圓片的清洗和甩干，實現(xiàn)圓片的“干進干出”,。

CMP是一種集機械學,、流體力學、材料化學,、精細加工,、控制軟件等多領城最先進技術于一體的設備，是各種集成電路生產(chǎn)設備中較為復雜和研制難度較大的設備之一,。隨著圓片直徑的增大和工藝復雜性的不斷提高,，CMP的設備價格也在逐漸增長。一般來說,，用于200 mm圓片的CMP設備價格約為300 萬美元,，用于300 mm圓片的CMP設備價格約為400 萬美元。 

來源：華海清科官網(wǎng)

近日,，中山大學發(fā)布38項儀器設備采購意向,，預算總額達0.96億元，涉及微區(qū)原位場發(fā)射測量系統(tǒng),、電子束光刻機,、等離子體深硅刻蝕系統(tǒng)（ICP）、手動式曝光機,、共濺射磁控濺射系統(tǒng),、光芯片自動耦合升級的掃譜系統(tǒng)等，預計采購時間為2024年12月~2025年1月,。其中,，電子與信息工程學院進行化學機械拋光的采購，旨在采購混合集成芯片先導線的既有化學機械拋光系統(tǒng),，用于混合集成工藝中的研磨和拋光工藝，解決混合集成工藝中因局部高低不平而導致的加工精度問題,，實現(xiàn)基片表面平坦化,，也可以用于銅金屬以及低介電常數(shù)材料的多層布線平坦化制備工藝。

來源：儀器信息網(wǎng)

參考來源：

[1] 燕禾等,，化學機械拋光技術研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

[2] 何潮等,，半導體材料CMP過程中磨料的研究進展

[3] 李丹,，化學機械拋光（CMP）技術、設備及投資概況

[4] 華海清科官網(wǎng),、儀器信息網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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