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坩堝用高純石英砂的要求及發(fā)展趨勢(shì)


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   九思

[導(dǎo)讀]  石英坩堝是具有不同尺寸大小的圓堝狀石英玻璃制品,,具有氣泡極少(內(nèi)層),、二氧化硅純度極高和熔點(diǎn)高等優(yōu)勢(shì),,用于直拉法拉制芯片和光伏產(chǎn)業(yè)必需的單晶硅棒,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  石英坩堝是具有不同尺寸大小的圓堝狀石英玻璃制品,具有氣泡極少(內(nèi)層),、二氧化硅純度極高和熔點(diǎn)高等優(yōu)勢(shì),,用于直拉法拉制芯片和光伏產(chǎn)業(yè)必需的單晶硅棒。


在半導(dǎo)體行業(yè),,石英坩堝對(duì)堿金屬和過(guò)渡金屬等雜質(zhì)含量有較高要求,,堿金屬雜質(zhì)會(huì)影響石英坩堝的熱學(xué)特性,降低石英制品的耐溫性,,使其熔點(diǎn)降低,,高溫性能變差,;過(guò)渡金屬雜質(zhì)會(huì)降低導(dǎo)電性,縮減半導(dǎo)體的使用壽命,,雜質(zhì)含量高還會(huì)產(chǎn)生氣泡和色斑等缺陷,,降低石英坩堝的透明度,嚴(yán)重時(shí)還會(huì)影響石英坩堝成型,。 


《單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于石英坩堝的雜質(zhì)元素含量要求如下:


單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝的雜質(zhì)元素含量要求(單位為微克每克)


以地方標(biāo)準(zhǔn)《DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)技術(shù)規(guī)范》為例,,看一看電子專用材料單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝原輔材料的嚴(yán)苛要求。 


地方標(biāo)準(zhǔn)《DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)技術(shù)規(guī)范》

 石英砂雜質(zhì)元素含量(單位為微克每克)


由內(nèi)蒙古歐晶科技股份有限公司,、江西中昱新材料科技有限公司,、錦州佑鑫石英科技有限公司為主要起草單位編制的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)》中規(guī)定了半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝主要原輔材料的標(biāo)準(zhǔn)。


《半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)》 石英砂雜質(zhì)元素含量(單位為微克每克)


發(fā)展趨勢(shì)


向大尺寸方向發(fā)展


為提高生產(chǎn)效率并降低成本,,向大尺寸演進(jìn)是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向,。硅片尺寸越大,在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多,,單位芯片的成本隨之降低,。同時(shí),在圓形的硅片上制造矩形的芯片會(huì)使硅片邊緣處的一些區(qū)域無(wú)法被利用,,必然會(huì)浪費(fèi)部分硅片,。硅片的尺寸越大,相對(duì)而言硅片邊緣的損失會(huì)越小,,有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。


半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展,,從最初的2英寸發(fā)展到了目前的12英寸,,未來(lái)還有可能發(fā)展到18英寸,硅片的可利用面積比例將逐步增高,。這也促使硅單晶硅材料進(jìn)一步朝著無(wú)缺陷,、大尺寸、高均勻度和結(jié)構(gòu)完整性的方向發(fā)展,。


未來(lái),,大尺寸硅片需求量持續(xù)攀升將推動(dòng)半導(dǎo)體石英坩堝規(guī)模進(jìn)一步增長(zhǎng)。隨著8英寸及12英寸半導(dǎo)體硅片出貨量持續(xù)增長(zhǎng),,對(duì)應(yīng)24英寸及32英寸半導(dǎo)體石英坩堝的需求持續(xù)增加,。


國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體石英坩堝市場(chǎng)占有率有望提升


隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體石英坩堝市場(chǎng)占有率有望提升,,在國(guó)家政策的扶持下,,我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的建設(shè)力度持續(xù)加強(qiáng),進(jìn)而有力帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上游石英坩堝需求的增長(zhǎng),。未來(lái)隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程的推進(jìn),,國(guó)產(chǎn)石英坩堝在半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率將得到進(jìn)一步提升,。


企業(yè)介紹


錦州佑鑫石英科技有限公司成立于2004年,公司專注于太陽(yáng)能級(jí)和半導(dǎo)體級(jí)石英坩堝的研發(fā)及制造,,現(xiàn)具備錦州和曲靖兩個(gè)生產(chǎn)基地:錦州基地主要致力于半導(dǎo)體級(jí)高純石英坩堝的研發(fā)及制造,,可批量供應(yīng)16-28英寸半導(dǎo)體石英坩堝,具備年產(chǎn)12萬(wàn)只石英坩堝的能力,。



錦州佑鑫石英科技有限公司生產(chǎn)的石英坩堝,,采用高溫電弧法制造,純度在99.99% 以上 ,,具有良好的耐高溫性能( 1450 ℃),。用于CZ法單晶硅生長(zhǎng)及其它用途 。



2024年11月21-22日,,由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的“2024(第八屆)全國(guó)石英大會(huì)暨展覽會(huì)”將在江蘇徐州召開(kāi),,錦州佑鑫石英科技有限公司的研發(fā)中心主任馬力將做《坩堝用高純石英砂的要求及發(fā)展趨勢(shì)》的報(bào)告,屆時(shí),,他將結(jié)合研發(fā)經(jīng)驗(yàn),,詳細(xì)解讀坩堝用高純石英砂的要求及發(fā)展趨勢(shì)。


參考來(lái)源:

[1]C/T1048-2018,單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝

[2]DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)技術(shù)規(guī)范

[3]TCEMIA024-2021,半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)

[4]盾源聚芯招股說(shuō)明書,、美晶新材招股說(shuō)明書

[5]國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局,,錦州佑鑫石英科技有限公司


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/九思) 

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