中國粉體網(wǎng)訊  8月27日,，湖南德智新材料有限公司（以下簡稱“德智新材”）半導體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項目正式簽約落戶無錫惠山經(jīng)開區(qū),。

據(jù)悉，德智新材在惠山經(jīng)開區(qū)注冊成立了無錫德智半導體材料有限公司和子公司,。無錫德智半導體材料有限公司計劃總投資約10億元,，通過購置自動化、智能化程度較高的生產(chǎn)檢測設(shè)備,，建立20條集成電路外延用零部件生產(chǎn)線,、5條碳化鉭涂層生產(chǎn)線,，同時建設(shè)一流的半導體科研實驗室，打造研發(fā)制造基地,，項目預計5年內(nèi)全面達產(chǎn),。子公司作為配套企業(yè)，將在新基地項目建設(shè)期間同步開展業(yè)務(wù),。

碳化硅部件在半導體制程中萬分重要

半導體產(chǎn)業(yè)是構(gòu)建我國戰(zhàn)略科技力量的核心支撐產(chǎn)業(yè),，而半導體零部件則是決定我國半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域。一般而言,，半導體設(shè)備零部件占設(shè)備總支出的70%左右,，以刻蝕機為例，主要關(guān)鍵部件占設(shè)備總成本的85%,。

精密陶瓷部件是最具有代表性的半導體設(shè)備零部件材料,，在化學氣相沉積、物理氣相沉積,、離子注入,、刻蝕等一系列半導體主要制造環(huán)節(jié)均有重要應用。

來源：Wind,，梧桐樹半導體整理

其中,，碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形,，并且具有較高的導熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù),，熱穩(wěn)定性高，因此碳化硅陶瓷作為一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料在半導體設(shè)備中有廣泛的應用,。例如在研磨拋光吸盤,、光刻吸盤、檢測吸盤,、精密運動平臺,、刻蝕環(huán)節(jié)的高純碳化硅部件、封裝檢測環(huán)節(jié)中精密運動系統(tǒng)等等,，作用極其重要,。

德智新材：獲華為力捧，碳化硅部件國產(chǎn)化的重要參與者

據(jù)悉,，德智新材專注于半導體用碳基及碳化物陶瓷部件材料研發(fā),、生產(chǎn)和銷售，是國內(nèi)最早采用CVD技術(shù)研發(fā)制造先進半導體用SiC材料的科技型企業(yè)之一,，其主要產(chǎn)品有SiC涂層石墨基座,、SiC蝕刻環(huán)等。

SiC涂層石墨盤穩(wěn)定性要求高，其可靠性直接影響晶圓外延生長的一致性和良率,。由于技術(shù)壁壘極高,，該產(chǎn)品長期被美、日,、德等國家所壟斷,。2020年，德智新材自主設(shè)計的國內(nèi)最大化學氣相沉積設(shè)備正式投入使用,，SiC涂層石墨基座順利實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,，成為國內(nèi)半導體行業(yè)突破國外技術(shù)壟斷的關(guān)鍵產(chǎn)品之一。

蝕刻環(huán)是半導體蝕刻工藝的重要耗材,，但是SiC蝕刻環(huán)對材料純度要求極高,，過去完全被少數(shù)海外巨頭壟斷。德智新材采用自主研發(fā)的CVD設(shè)備生長SiC本體,，再進行精密加工成形,，突破了這一技術(shù)難關(guān)。目前,，德智新材半導體用SiC蝕刻環(huán)項目已率先在國內(nèi)實現(xiàn)了量產(chǎn)交付,。

依靠國內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)、設(shè)備和高水平研發(fā)團隊,，性能卓越的產(chǎn)品及在良率和壽命方面接近國際先進水平的優(yōu)勢條件,，德智新材頻頻得到資本的青睞。2021年9月,，德智新材新增華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）為股東,，同時公司注冊資本由1471.98萬元人民幣增加至1766.38萬元人民幣，增幅為20%,。2023年10月,，德智新材宣布完成數(shù)億元人民幣的戰(zhàn)略融資，此次融資主要用于德智新材株洲,、無錫兩地產(chǎn)能擴建與研發(fā)投入,。

半導體設(shè)備零部件及關(guān)鍵耗材供應鏈不完善是當下中國半導體產(chǎn)業(yè)屢遭“卡脖子”重要原因。作為半導體加工環(huán)節(jié)的關(guān)鍵耗材提供商,，此次德智新材在碳化硅部件技術(shù)與產(chǎn)業(yè)上的進一步突破對我國整個半導體產(chǎn)業(yè)安全發(fā)展具有重要意義,。

來源：無錫惠山官微、粉體網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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