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株洲科能高純銦成就“單項冠軍”,!獲得國內(nèi)外知名化合物半導(dǎo)體企業(yè)一致認(rèn)可


來源:中國粉體網(wǎng)   昧光

[導(dǎo)讀]  株洲科能——高純銦。

中國粉體網(wǎng)訊 高純銦在液晶顯示,、太陽能光伏,、紅外探測、半導(dǎo)體化合物合成等方面應(yīng)用廣泛,。例如氧化銦錫(ITO)薄膜或靶材,、用作Ⅱ—Ⅵ價半導(dǎo)體化合物的摻雜劑三甲基銦(TMI)、CuInSe2薄膜電池,、激光器用InGaAs,、霍爾元件和磁阻器用InSb、InP及InAs等,。


株洲科能5N~7N高純銦

 

 

目前半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)︺熢霞兌鹊囊蠡驹?N及以上,。我國是全球銦資源和國際原生銦供應(yīng)第一大國,,但銦產(chǎn)品集中在中低端,7N超高純銦仍需要通過國外再加工與反向輸入,。美國銦公司,、歐洲金屬公司,、日本同和集團和三菱株式會社都擁有較為穩(wěn)定成熟的6N/7N級高純銦生產(chǎn)技術(shù),。目前高純銦的制備方法主要有電解精煉法、真空蒸餾法,、區(qū)熔法和單晶直拉法等,。

 

5N、6N高純銦及7N超高純銦的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

 

 

株洲科能高純

獲得國內(nèi)外知名化合物半導(dǎo)體企業(yè)一致認(rèn)可

 

株洲科能新材料股份有限公司(以下簡稱:株洲科能)成立于2001年1月,,位于中國湖南株洲金山科技工業(yè)園,,是一家專業(yè)從事小(稀散)金屬,、半導(dǎo)體材料,、顯示發(fā)光材料生產(chǎn)的國家級高新技術(shù)企業(yè)。

 

株洲科能產(chǎn)品主要包括高純鎵,、高純銦以及ITO等靶材用銦(4N5-5N),、氧化銦、氧化鎵等電子級稀散金屬系列產(chǎn)品,,和工業(yè)鎵,、鉍及氧化鉍等工業(yè)級稀散金屬系列產(chǎn)品兩大類,主要應(yīng)用于磷化銦,、砷化鎵等化合物半導(dǎo)體,、太陽能電池P型硅片、ITO等靶材合成以及醫(yī)藥,、化工等領(lǐng)域高端產(chǎn)品制造,。

 

作為國內(nèi)高純銦產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),株洲科能始終保持國內(nèi)高純銦市場份額的領(lǐng)先地位,,著力布局日本,、德國、韓國,、美國等半導(dǎo)體原材料需求旺盛的海外市場,,憑借高純產(chǎn)品的純度、過程管控,、一致性,、交付及時性等的優(yōu)勢,已獲得Wafer,、AXT,、5NPlus以及云南鑫耀等國內(nèi)外知名化合物半導(dǎo)體企業(yè)的廣泛認(rèn)可,。

 

株洲科能作為全球高純鎵、高純銦材料的主要提供商之一,,整體處于國內(nèi)領(lǐng)先水平,,已先后成功配套Freiberger、AXT,、Wafer,、5NPlus、Rasa等全球主要化合物半導(dǎo)體廠商,,系全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)Freiberger的高純鎵主要供應(yīng)商以及Wafer在中國境內(nèi)高純銦唯一供應(yīng)商,,同時高純鎵、高純銦已基本覆蓋三安光電,、蘇州納維,、云南鑫耀、浙江康鵬等國內(nèi)近些年興起的主要化合物半導(dǎo)體廠商及中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所等科研單位,,以及隆基綠能,、江蘇協(xié)鑫等國內(nèi)領(lǐng)先的光伏企業(yè)。據(jù)中國有色金屬工業(yè)協(xié)會稀散金屬分會統(tǒng)計的數(shù)據(jù),,株洲科能高純銦產(chǎn)品于國內(nèi)市場占有率約51%左右,,生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)銷量,、產(chǎn)值排名全國第一位,。


株洲科能高純銦

技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)達到同類技術(shù)領(lǐng)先水平

 

針對我國高純金屬生產(chǎn)相關(guān)理論薄弱,除雜手段和裝備相對單一,,工藝流程長,,高純金屬直收率低,典型雜質(zhì)元素缺乏綠色高效去除手段等痛點,,株洲科能自主研發(fā)金屬熔體空氣氧化技術(shù),、循環(huán)高效電化學(xué)技術(shù)、選擇性定向揮發(fā)真空冷凝技術(shù),、多模式電磁場調(diào)控定向凝固技術(shù),、高純金屬真空脫氣技術(shù)等一系列關(guān)鍵技術(shù),能高效去除金屬銦中的主體雜質(zhì),。

 

在高純銦生產(chǎn)中采用多模式電磁場的力/能量效應(yīng),,調(diào)控金屬結(jié)晶/區(qū)熔過程中固液界面前沿雜質(zhì)原子動量傳輸行為及擴散邊界層厚度、復(fù)合相變和場驅(qū)動效應(yīng),,歧化雜質(zhì)組元的有效平衡分配系數(shù),,提高雜質(zhì)原子的遷移速率,解決粉末晶粒過粗導(dǎo)致除雜效果不佳,,電解過程中雜質(zhì)容易被包覆,,高溫下痕量雜質(zhì)擴散污染高純金屬,,氣體雜質(zhì)難以完全脫除,后期成型再次污染等一系列難題,,實現(xiàn)銦中微量及痕量雜質(zhì)的深度去除,;研發(fā)出8N超高純銦產(chǎn)業(yè)化制備工藝并實現(xiàn)批量化生產(chǎn),其中雜質(zhì)元素鋁<0.001ppm,,鉈,、錫、鉛<0.005ppm,,技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)先進程度高,,達到同類技術(shù)領(lǐng)先水平。

 

行業(yè)知名廠商高純銦生產(chǎn)水平

 

 

目前,,株洲科能已建立完整的研發(fā)、生產(chǎn)體系并擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán),,擁有授權(quán)專利43項,,其中發(fā)明專利20項,科技成果轉(zhuǎn)化能力突出,。株洲科能生產(chǎn)的7N5以上高純銦,,可用于分子束外延砷化鎵基PHEMT和磷化銦基HEMT材料。所生長PHEMT外延材料,,室溫的電子遷移率為6,,500-7,000cm2/V.s,,二維電子氣材料濃度為1.7-2.0x1012cm-2,;磷化銦基HEMT材料的電子遷移率為8,500-11,,000cm2/V.s,,二維電子氣材料濃度為2.2-2.5x1012cm-2,滿足分子束外延材料生長要求,,實現(xiàn)了國產(chǎn)化替代的關(guān)鍵指標(biāo)要求,。

 

株洲科能超純銦(MBE分子束外延)

 

 

株洲科能

實現(xiàn)高純材料低成本、規(guī)�,;�,、穩(wěn)定生產(chǎn)

 

近年來,株洲科能堅持在高純材料領(lǐng)域高強度研發(fā)投入,,2020-2023年研發(fā)費用約1億元,,在高純材料生產(chǎn)工藝、裝備,、檢測等方面不斷進行技術(shù)創(chuàng)新,,重點解決了行業(yè)“高純材料難以低成本,、規(guī)模化,、持續(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)”“高純材料關(guān)鍵技術(shù)體系化,、平臺化開發(fā)”兩大技術(shù)難題。

 

全球預(yù)估銦儲量僅5萬噸,,其中可開采的占50%,。由于未發(fā)現(xiàn)獨立銦礦,工業(yè)通過提純廢鋅,、廢錫的方法生產(chǎn)金屬銦,,回收率約為50-60%。株洲科能自主研發(fā)了“循環(huán)高效電化學(xué)技術(shù)”“高效痕量檢測技術(shù)”“綠色環(huán)保連續(xù)氧化技術(shù)”等六大核心技術(shù),,形成了構(gòu)建工藝,、裝備、檢測齊頭并進,,關(guān)鍵核心技術(shù)的突破,。構(gòu)建了工藝聯(lián)環(huán)、生產(chǎn)閉環(huán)的回收,、提純一體化生產(chǎn)工藝體系,,實現(xiàn)了銦、鎵,、砷等元素的循環(huán)綜合利用,,具有顯著的社會經(jīng)濟價值。其中,,“一種從銻化銦廢料中綜合回收銦和銻的方法”“一種磷化銦中銦的回收方法”“一種高純銦的提純方法”等專利技術(shù)有力保障了高純銦的持續(xù)生產(chǎn)能力,。

 

 

2021年,株洲科能牽頭聯(lián)合中科院半導(dǎo)體所承擔(dān)工信部某項目,,2023年已通過驗收,。2022年承擔(dān)科技部國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性礦產(chǎn)資源開發(fā)利用”之重點專項“6N級以上超高純稀有稀散金屬制備技術(shù)”。2024年,,工信部公布了第八批制造業(yè)單項冠軍遴選企業(yè)認(rèn)定名單,,株洲科能憑借“高純銦”產(chǎn)品獲評國家級制造業(yè)單項冠軍企業(yè)。株洲科能長期將自身研發(fā)活動與國家科技發(fā)展緊密結(jié)合,,攻克行業(yè)前沿技術(shù)和難題,,培養(yǎng)復(fù)合型、跨學(xué)科專業(yè)人才,,為推動行業(yè)發(fā)展做出了諸多貢獻,。

 

參考來源:

株洲科能官網(wǎng)

株洲科能招股說明書

新華網(wǎng)

文家俊,磷及銦提純方法研究進展,,上海大學(xué)

王涵,,銦資源的回收技術(shù)研究進展,,昆明理工大學(xué)


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