中國粉體網(wǎng)訊 近年來，電子集成技術(shù)發(fā)展迅速，電子設(shè)備的組裝密度提高較為迅速，電路的體積逐漸縮小，整個發(fā)展趨勢向輕薄小方向,。在頻率較高的情況下，工作的熱量很容易聚集,，難以排出,。為了保證電子元器件的良好運(yùn)行，散熱能力的大小是關(guān)鍵因素。
氮化鋁(AlN)因具有較高的熱導(dǎo)率(320W/m·K,，25℃),、良好的絕緣性(＞1014Ω·cm)、較低的介電常數(shù)(8.8,，1MHz)與介電損耗(tanσ＝10-4),、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)(3.2×10-6K-1)、無毒以及優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性,、機(jī)械性能和抗等離子性等特性而受到電子工業(yè)的廣泛關(guān)注,。尤其球形氮化鋁粉體具有高流動性和堆積密度，作為填料使用時對體系粘度影響較小,，有利于實(shí)現(xiàn)高填充,，從而提高氮化鋁基板的散熱能力。
目前,，常用的球形氮化鋁粉體制備方法是先將氧化鋁和碳源混合均勻(在混合過程中可加入燒結(jié)助劑),，然后在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行高溫氮化得到含碳氮化鋁，再將含碳氮化鋁在空氣或氧氣氣氛下進(jìn)行碳熱還原得到球形氮化鋁,。但這種制備方法得到的是非致密的球形氮化鋁顆粒,，將其用于填充材料時會出現(xiàn)填充量低、吸油值大等問題,。
近日,，安徽壹石通材料科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為“致密化球形氮化鋁及其制備方法與應(yīng)用”，公開號CN202311836763.5,，申請日期為2023年12月,。
專利摘要顯示，該發(fā)明公開了一種致密化球形氮化鋁及其制備方法與應(yīng)用,，涉及導(dǎo)熱填料技術(shù)領(lǐng)域,，該發(fā)明以亞微米級的氮化鋁為原料，并加入少量的氧化釔和鋁溶膠,，通過噴霧造粒技術(shù)獲得多孔球形氮化鋁,，然后將多孔球形氮化鋁與隔離劑混合均勻后依次進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)以及除碳處理，最終得到球形度高且整體致密化的球形氮化鋁,，顯著降低球形氮化鋁的比表面積,，提高球形氮化鋁作為導(dǎo)熱填料的填充量，從而有效改善復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能,。
來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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