中國粉體網(wǎng)訊  氮化鋁粉體具有高熱導率等優(yōu)點,，被廣泛認為是用于制備半導體功率器件用陶瓷基板的優(yōu)良材料。氮化鋁陶瓷比氧化鋁陶瓷具有更高的熱導率,， 在大功率電力電子等需要高熱傳導的器件中逐漸替代氧化鋁陶瓷,，應用前景廣闊。

氮化鋁基片制備技術(shù)壁壘高,，粉體配方和基片燒結(jié)是核心,。氮化鋁陶瓷基板制備主要是粉體制備、粉體成型,、陶瓷基片燒結(jié)等,。

氮化鋁陶瓷粉體制備

高純度的氮化鋁粉體是提高陶瓷基板的關(guān)鍵。目前制備氮化鋁粉體的方法有碳熱還原法,、直接氮化法,、高溫自蔓延,、直接氮化法、化學氣相沉積法等等,。目前,，碳熱還原法是目前最成熟、適合制備高品質(zhì)氮化鋁粉體的商用制備方法,，高溫自蔓延法具有成本較低的優(yōu)勢,，適宜進一步發(fā)展該優(yōu)勢，占領(lǐng)中,、低端氮化鋁粉體市場,，但由于反應速率、過程難以有效控制,，目前不適合作為高品質(zhì)氮化鋁粉體的商用制備方法,。

制備高品質(zhì)氮化鋁粉體時，除了關(guān)注最基本的純度,、粒徑及粒徑分布外,，還應加大對比表面積、微觀形貌,、低團聚性和高導熱性等性能的重視程度,。易水解性能是氮化鋁粉體特有的，也是最受關(guān)注的后處理工藝,，目前主流的商用方法是通過熱處理,。

氮化鋁陶瓷燒結(jié)

在氮化鋁陶瓷燒結(jié)中，引入燒結(jié)助劑是目前氮化鋁陶瓷燒結(jié)普遍采用的一種方法,。一方面是形成低溫共熔相,，實現(xiàn)液相燒結(jié)，促進坯體致密化,；另一方面是去除氮化鋁中的氧雜質(zhì),，完善晶格，提高熱導率,。

根據(jù)三環(huán)集團試驗數(shù)據(jù),，隨著燒結(jié)助劑含量增加，基板成瓷密度隨之上升,，而導熱率在燒結(jié)助劑添加量為15%達到最高,； 隨著燒結(jié)溫度的升高，氮化鋁成瓷密度,、晶粒尺寸及導熱率呈不斷上升的趨勢,，在1800℃時密度趨于穩(wěn)定，而基板的抗折強度則是先上升,，在1750℃時達到最大值后開始下降,。

在燒結(jié)工藝方面,，氮化鋁基片常用的燒結(jié)工藝一般有5種，即熱壓燒結(jié),、無壓燒結(jié),、放電等離子燒結(jié)(SPS)、微波燒結(jié)和自蔓延燒結(jié),。AlN陶瓷基片一般采用無壓燒結(jié),，該燒結(jié)方法是一種最普通的燒結(jié)，雖然工藝簡單,、成本較低,，但燒結(jié)溫度一般偏高，在不添加燒結(jié)助劑的情況下,，一般無法制備高性能陶瓷基片。

市場概況

由于氮化鋁陶瓷基片的特殊技術(shù)要求,，加上設(shè)備投資大,、制造工藝復雜，高端氮化鋁陶瓷基片核心制造技術(shù)被日本等國家的幾個大公司掌控,。我國氮化鋁基片行業(yè)整體水平較低,，產(chǎn)品缺乏競爭力，主要是以中低端產(chǎn)品為主,，高端氮化鋁陶瓷基板還在依賴進口,。

近些年，我國也在加力追趕,，國內(nèi)不少企業(yè)都實現(xiàn)了氮化鋁陶瓷基板的國產(chǎn)化,，隨著下游電子產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，未來氮化鋁陶瓷基板的市場需求也會隨之增長,。

中國粉體網(wǎng)將于2024年4月25日在江蘇蘇州舉辦“第三屆半導體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會暨第三代半導體SiC晶體生長技術(shù)交流會”,，屆時，深圳技術(shù)大學孔令兵教授將帶來《氮化鋁陶瓷粉體制備,、燒結(jié)及性能研究進展》,，孔教授將就氮化鋁陶瓷基板制備過程中涉及的粉體制備、燒結(jié)行為及對性能的影響進行總結(jié)與闡述,。

參考來源：

李奕杉：陶瓷基板用氮化鋁粉體專利解析

粉體網(wǎng)：為何氮化鋁基板比其它基板貴,，且一片難求？

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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