中國粉體網(wǎng)訊  11月21日,，山東粵海金半導體科技有限公司宣布自主研制的SiC單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導電型SiC晶體,，晶體表面光滑無缺陷,，厚度超過20毫米，同時已經順利加工出8英寸SiC襯底片。

在8英寸碳化硅晶體研發(fā)過程中，粵海金成功解決了大直徑晶體擴徑生長,、大尺寸熱場分布和高溫氣相輸運、大尺寸晶體應力控制等關鍵共性技術難題,，形成并掌握了完整的工藝解決方案,，獲得了質量優(yōu)良的碳化硅單晶與襯底片，為后續(xù)持續(xù)提升質量并進行產業(yè)化批量生產打下了堅實的基礎,。

粵海金是高金富恒集團旗下專門從事第三代半導體材料——SiC襯底片材料研發(fā)與生產的產業(yè)化公司,。目前主要產品為6英寸導電SiC襯底片，同時致力于更大尺寸的導電型襯底片/半絕緣型襯底片的工工藝研發(fā),。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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