中國(guó)粉體網(wǎng)訊  11月21日，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司宣布自主研制的SiC單晶生長(zhǎng)爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導(dǎo)電型SiC晶體,，晶體表面光滑無缺陷,，厚度超過20毫米，同時(shí)已經(jīng)順利加工出8英寸SiC襯底片,。

在8英寸碳化硅晶體研發(fā)過程中,，粵海金成功解決了大直徑晶體擴(kuò)徑生長(zhǎng)、大尺寸熱場(chǎng)分布和高溫氣相輸運(yùn),、大尺寸晶體應(yīng)力控制等關(guān)鍵共性技術(shù)難題,，形成并掌握了完整的工藝解決方案，獲得了質(zhì)量?jī)?yōu)良的碳化硅單晶與襯底片，為后續(xù)持續(xù)提升質(zhì)量并進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),。

粵海金是高金富恒集團(tuán)旗下專門從事第三代半導(dǎo)體材料——SiC襯底片材料研發(fā)與生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化公司,。目前主要產(chǎn)品為6英寸導(dǎo)電SiC襯底片，同時(shí)致力于更大尺寸的導(dǎo)電型襯底片/半絕緣型襯底片的工工藝研發(fā),。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

注：圖片非商業(yè)用途,，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除