中國粉體網(wǎng)訊 三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體團隊,,已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫�,。⊿tephen Hong)擔(dān)任副總裁,,負責(zé)監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù),。
洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家,,在英飛凌,、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗,,加入三星后,,他負責(zé)領(lǐng)導(dǎo)這項工作,同時積極與韓國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機構(gòu)合作進行市場和商業(yè)可行性研究,。值得注意的是,,三星在正式進軍 GaN(氮化鎵)業(yè)務(wù)前,,也提前組建了相關(guān)業(yè)務(wù)團隊。
三星電子已開始全面籌備 GaN 功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù),。三星決定購買 Aixtron 最新的 MOCVD 設(shè)備,,專門用于加工 GaN 和 SiC 晶圓,這凸顯了三星對此努力的承諾,,這筆投資預(yù)計至少為 700-8000 億韓元,。
盡管三星的第三代半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)預(yù)計將于 2025 年啟動,但目前仍處于研究和樣品階段,,現(xiàn)在需要大量投資設(shè)備以支持未來的量產(chǎn)工作,。
根據(jù) TrendForce 的分析,預(yù)計 2023 年全球 SiC 功率器件市場規(guī)模將達到 22.8 億美元,,同比增長 41.4%,。預(yù)計到 2026 年將擴大到 53.3 億美元。
根據(jù) TrendForce 的最新研究,,預(yù)計到 2024 年,,三星 8 英寸晶圓制造工廠的利用率可能會下降至 50%。這一下降主要是由于全球半導(dǎo)體需求減少,,再加上地緣政治因素,,嚴峻的商業(yè)環(huán)境影響了三星的訂單量。
隨著 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體的需求持續(xù)上升,,以及三星硅晶圓業(yè)務(wù)面臨挑戰(zhàn),,該公司與 DB Hitek 和 Key Foundry 等競爭對手一起,正準備推出 8 英寸 GaN 代工服務(wù),。這一戰(zhàn)略舉措預(yù)計將在 2025 年至 2026 年間實現(xiàn),。
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/長安)
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