中國(guó)粉體網(wǎng)訊 三菱電機(jī)日本福山功率器件工廠完成首條12英寸硅晶圓加工生產(chǎn)線的安裝，計(jì)劃2025財(cái)年開(kāi)始在12英寸硅晶圓新產(chǎn)線上量產(chǎn),，穩(wěn)定供應(yīng)功率半導(dǎo)體器件，同時(shí)布局第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵,，接下來(lái)將繼續(xù)研究氧化鎵功率芯片和功率器件,。
12英寸硅晶圓（左）和8英寸晶圓（右）
8月29日,，三菱電機(jī)宣布其位于日本福山的功率器件工廠完成首條12英寸硅晶圓加工生產(chǎn)線的安裝，樣品生產(chǎn)和測(cè)試驗(yàn)證了該生產(chǎn)線加工的功率半導(dǎo)體芯片達(dá)到了要求的性能水平,。三菱電機(jī)計(jì)劃2025財(cái)年開(kāi)始在新的12英寸硅晶圓線上大規(guī)模生產(chǎn),，推動(dòng)穩(wěn)定供應(yīng)功率半導(dǎo)體器件。功率半導(dǎo)體又稱電力電子器件,，其典型的功率處理功能包括變頻,、變壓、變流,、功率放大,、功率管理等。三菱電機(jī)成立于1921年,，開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體67年,，功率半導(dǎo)體是其業(yè)務(wù)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Γ浒雽?dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于變頻家電,、軌道牽引,、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車,、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域,。
“三菱電機(jī)將集中精力開(kāi)發(fā)12英寸硅晶圓和8英寸碳化硅（SiC）晶圓�,！比怆姍C(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)總經(jīng)理赤田智史8月30日表示,。今年3月，三菱電機(jī)宣布將在2026年3月前的五年內(nèi)投資約2600億日元,，主要用于新建晶圓廠,，增加碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，并計(jì)劃2026年4月開(kāi)始稼動(dòng)位于日本熊本縣菊池市的8英寸碳化硅晶圓新工廠,。
位于熊本縣合志市的6英寸碳化硅晶圓廠也要擴(kuò)產(chǎn),，到2026年碳化硅產(chǎn)能預(yù)計(jì)擴(kuò)大到目前的5倍左右。赤田智史表示,，預(yù)計(jì)到2030年,，三菱電機(jī)碳化硅功率模塊營(yíng)收占比將提升到30%以上。
三菱電機(jī)也在布局研發(fā)第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵,。今年7月,，三菱電機(jī)宣布入股成立于2015年的Novel Crystal Technology，該公司主要開(kāi)發(fā)新型半導(dǎo)體材料氧化鎵,。雙方將合作開(kāi)發(fā)氧化鎵功率半導(dǎo)體,，三菱電機(jī)功率器件制作所高級(jí)技術(shù)顧問(wèn)近藤晴房表示,，碳化硅功率模塊的商業(yè)化應(yīng)用已超10年，現(xiàn)在是時(shí)候?qū)胄碌膶捊麕Р牧狭�,，作為新型半�?dǎo)體材料,，氧化鎵肯定會(huì)面臨很多技術(shù)挑戰(zhàn)，三菱電機(jī)接下來(lái)將繼續(xù)研究氧化鎵功率芯片和功率器件,。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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