中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日，天岳先進(jìn)發(fā)布公告,，公司與客戶F簽訂了一份框架采購(gòu)協(xié)議,，約定2024年至2026年公司向合同對(duì)方銷售碳化硅產(chǎn)品，按照合同《產(chǎn)品供貨清單》,，預(yù)計(jì)含稅銷售三年合計(jì)金額為人民幣80,480.00 萬(wàn)元（最終以實(shí)際數(shù)量結(jié)算金額為準(zhǔn)）,。
據(jù)悉，該協(xié)議期限為合同生效日至 2026 年 12 月 31 日,，且協(xié)議生效后次月底前,，客戶 F 向供應(yīng)商支付人民幣 1 億元作為本協(xié)議的保證金。
訂單方面,，去年7月,，天岳先進(jìn)表示與某客戶簽訂了一份長(zhǎng)期協(xié)議，約定2023年至2025年公司及上海天岳向合同對(duì)方銷售價(jià)值13.93億元的6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品,；今年4月,，天岳先進(jìn)又在財(cái)報(bào)中披露，已經(jīng)與博世集團(tuán)簽署長(zhǎng)期協(xié)議,。
今年5月,，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂全新襯底和晶棒供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,，天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的150毫米碳化硅襯底和晶棒,，第一階段將側(cè)重于150毫米碳化硅材料，但天岳先進(jìn)也將助力英飛凌向200毫米直徑碳化硅晶圓過(guò)渡,。
英飛凌表示,，該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額，這不僅有助于保證英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定,，讓其碳化硅材料供應(yīng)商體系多元化,，還能夠確保英飛凌獲得更多具有競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅材料供應(yīng)。
產(chǎn)品方面,，目前天岳先進(jìn)以6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底為主,，滿足全球客戶的需求。產(chǎn)能上,，天岳先進(jìn)上海臨港工廠已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)品交付階段,，持續(xù)發(fā)力提升6英寸襯底的產(chǎn)量,；晶體質(zhì)量和厚度持續(xù)提升，規(guī)�,；a(chǎn)襯底質(zhì)量穩(wěn)定可靠,。通過(guò)自主擴(kuò)徑技術(shù)制備的高品質(zhì)8英寸產(chǎn)品，目前也已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力,。
今年5月消息,，上海臨港新片區(qū)管理委員會(huì)對(duì)外公示了《關(guān)于“天岳半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目（調(diào)整）”》的環(huán)評(píng)審批意見(jiàn)。
根據(jù)環(huán)評(píng)審批意見(jiàn)公示,，天岳半導(dǎo)體將通過(guò)優(yōu)化生產(chǎn)工藝,、調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備、原輔材料和公輔環(huán)保設(shè)施等方式,，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量,。調(diào)整后，6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大至每年96萬(wàn)片,。
據(jù)了解,，上海臨港項(xiàng)目于2021年確立，總投資25億元,。彼時(shí),，天岳先進(jìn)正在推進(jìn)上市進(jìn)程，其計(jì)劃募資20億元投向臨港項(xiàng)目的建設(shè),，擴(kuò)充SiC半導(dǎo)體材料產(chǎn)能,。該項(xiàng)目已于2022年3月成功封頂，并在最近開(kāi)始交付,。
值得注意的是,，按照之前的規(guī)劃，臨港項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后,，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年,，而通過(guò)此次的產(chǎn)能調(diào)整，臨港項(xiàng)目產(chǎn)能將擴(kuò)大220%,，達(dá)96萬(wàn)片/年。
此外,，在技術(shù)及研發(fā)方面,，天岳先進(jìn)持續(xù)保持較高的技術(shù)研發(fā)投入，積極布局前瞻性技術(shù),。做為一種有潛力的碳化硅單晶制備新技術(shù),，液相法備受關(guān)注。通過(guò)液相法獲得均勻且高品質(zhì)的晶體需要對(duì)溫場(chǎng)和流場(chǎng)進(jìn)行控制,，具有較高的技術(shù)難度,，天岳先進(jìn)在該技術(shù)上布局多年,。
天岳先進(jìn)采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過(guò)熱場(chǎng),、溶液設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長(zhǎng)界面控制和缺陷控制難題,，尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。
除了產(chǎn)品尺寸,，在大尺寸單晶高效制備方面,，采用天岳先進(jìn)最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破60mm，而這對(duì)提升產(chǎn)能具有重要意義,，該技術(shù)也是天岳先進(jìn)重點(diǎn)布局的技術(shù)方向之一,。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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