中國粉體網(wǎng)訊  近日,，村田官網(wǎng)發(fā)布消息，公司生產(chǎn)子公司Murata Integrated Passive Solutions將在法國卡昂新建一條200mm晶圓生產(chǎn)線,，以擴大硅電容器的產(chǎn)能,，生產(chǎn)的硅電容器將用于植入式醫(yī)療設(shè)備、電信基礎(chǔ)設(shè)施和移動電話,。

據(jù)悉,，此次新建的200mm晶圓生產(chǎn)線，采用獨特的PICS領(lǐng)先技術(shù),，該技術(shù)在電氣特性方面具有更高的性能,，這些產(chǎn)品尺寸超小，厚度低至40µm,，主要面向具有超高性能和電容值的手機市場,。

該產(chǎn)線將于2023年春季開始籌建，安裝在現(xiàn)有建筑物內(nèi)部,。通過此次擴建,，村田將在2023~2025年期間創(chuàng)造100多個新工作崗位。

什么是硅電容器,？

硅電容利用硅材質(zhì)制作而成,，它跟普通電容類似，也是上下都是極板,，中間是介電層,，不同點是介電層使用的是硅材料。

硅電容在性能上有不少優(yōu)勢:

1）硅的穩(wěn)定性能比較好,，因此硅電容也相應(yīng)具有出色的高頻特性和溫度特性,、極低的偏置特性、很高的可靠性,，以及低背化等特性,。

2）硅電容還做得更小更薄，標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米,，定制化的可以做到40~50微米,。

3）硅電容這樣的底部電極品更適合高速信號線,，越接近阻抗連續(xù)性更好，信號品質(zhì)更好,。

4）硅電容器可靠性更高,，工作電壓下可保證100攝氏度，10年壽命,。

5）硅電容器件本身插損很小,，相比其他寬帶電容產(chǎn)品，插損優(yōu)勢很明顯,。

6）硅電容的絕緣阻抗很高,，優(yōu)于陶瓷電容和鉭電容。

據(jù)了解,，硅電容器主要應(yīng)用于LC濾波器,、毫米波T/R組件、移動通訊基站,、手機終端,、醫(yī)療MRI及線圈等領(lǐng)域。據(jù)相關(guān)市場數(shù)據(jù),，目前整體硅電容器市場年用量預(yù)計達93億個,，年產(chǎn)60萬片，手機終端市場占比最高,，年用量將近60億個,。

村田硅電容的內(nèi)部3D結(jié)構(gòu)

村田硅電容器的3D結(jié)構(gòu)是利用干法蝕刻技術(shù)的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術(shù),，它可以讓通過SF6氣體進行蝕刻和通過C4F8形成保護膜高速重復(fù),，從而實現(xiàn)高縱橫比蝕刻。

與MLCC相比,，正是因為采用高縱橫比的3D結(jié)構(gòu),，通過蝕刻工藝，有效的增加了電容器表面,，使的硅電容器具有更穩(wěn)定的電氣特性,。另外，使用適當(dāng)?shù)母呓殡姵��?shù)材料以及使用適當(dāng)?shù)某练e技術(shù)制造,，使器件具有高介電常數(shù),。

盡管硅電容器擁有超小尺寸、超高頻率,、高容量,、可靠性和穩(wěn)定性等特點，但技術(shù)壁壘極高，因此過去主要用于航空航天,、軍工雷達等領(lǐng)域,，民用市場占比不到1%。

根據(jù)市場研究公司Transparency Market Research的數(shù)據(jù),，2021年全球硅電容器市場價值15.8億美元,。從2022年到2031年，預(yù)計將以5.4%的CAGR（復(fù)合年增長率）增長,。同時,，根據(jù)Mordor Intelligence的一項研究,，2021年全球MLCC市場規(guī)模達到116.3億美元,，預(yù)計2022年至2027年的復(fù)合年增長率為6.03%。

在硅電容器領(lǐng)域,，村田有絕對的“話語權(quán)”,。村田制作所于2016年10月收購的原法國IPDiA，之后更名為Murata Integrated Passive Solutions,。該公司總部位于法國諾曼底卡昂,，負(fù)責(zé)開發(fā)和生產(chǎn)3D硅電容器，主要用于植入式醫(yī)療設(shè)備,、高可靠性應(yīng)用,、電信基礎(chǔ)設(shè)施、汽車和移動設(shè)備,。

收購了前IPDiA之后,，主營MLCC的村田制作所將硅電容器定位為“下一步行動”，而這一次的擴產(chǎn)更像是“催化劑”,，硅電容器也將成為下必爭之地,。

來源：村田官網(wǎng)、Murata村田中國公眾號,、36氪,、和訊網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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