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納米二氧化鈰拋光介質(zhì)制備通過(guò)鑒定


來(lái)源:中國(guó)化工報(bào)

標(biāo)簽納米二氧化鈰
由江蘇工業(yè)學(xué)院和江蘇省陶瓷研究所有限公司共同承擔(dān)的江蘇省高新技術(shù)項(xiàng)目“納米二氧化鈰拋光介質(zhì)的制備研究”,上周通過(guò)了江蘇省教育廳主持的成果鑒定。鑒定專家認(rèn)為,該技術(shù)為國(guó)內(nèi)首創(chuàng)。
                
    該項(xiàng)目由江蘇工業(yè)學(xué)院陳志剛院長(zhǎng)主持,。他們采用六亞甲基四胺(HMT)為沉淀劑的均相沉癥法制備出了粒徑為10~20nm的球形CeO2拋光介質(zhì),粉體顆粒尺寸均勻,;采用尿素為沉淀劑的均相沉淀法制備出了100~300nm單分散球形CeO2,,尺寸均一、可控,。項(xiàng)目研究了醇水反應(yīng)體系下超聲輻射以及微波輻射等對(duì)CeO2粉體形核生長(zhǎng)的影響規(guī)律,,實(shí)現(xiàn)了粉體尺寸和形貌形成的可控性,具有創(chuàng)新性,。
                
    據(jù)悉,,研究人員采用所研制的CeO2拋光介質(zhì)對(duì)硅晶片和砷化鎵晶片拋光,表面粗糙度分別為Ra≤0.089nm各Ra≤0.740nm,,滿足了超光滑加工的要求,,在滿足超光滑拋光的同時(shí)可提高拋光效率。應(yīng)用試驗(yàn)結(jié)果表明,,該技術(shù)能明顯降低硅晶片表面粗糙度,,為集成電路基片超光滑加工提供了關(guān)鍵技術(shù)。(葛金華 儲(chǔ)富強(qiáng))
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